Svenska ElektronikForumet

Hej alla glada...
Har försökt labbat lite med FET transistorer i Pspice och förstår fasen inte hur dom fungerar. Är det någon snäll filur som kan förklara för mig hur man praktiskt använder en FET? Den funktion jag framförallt är ute efter är förstärka utgången på en OP så att kopplingen årkar driva ca: 2-5A. Den OP koppling jag använder är en komparator som antingen är hög 12V eller 0V och där lasten är en större DC motor.

Tack på förhand!

Hur har du kopplat upp simuleringen?

Behöver du en linjär reglering, eller räcker det med "till-från"?

Grundtanken med att låta en OP driva en FET är bra, eftersom OP:n ger en relativt bra drivning på FETens Gate

Jag skulle tro att den här kopplingen är vad du vill ha. Irf530 är en shyrre trissa, dock vill du nog ha en kraftigare diod än en 1n4148, kunde ingen vettig utantill.



Om du lägger på en spänning mellan gate och source (Vgs kallad) så kommer N-FET transistorn att börja leda när du kommer över en viss tröskelspänning (Vtr). Med leda menas att den släpper igenom en ström från Drain till source som är beroende av Vgs. En N-FET är alltså principiellt lik en NPN BJT. Pilen på N-FET trissan är bara åt fel håll jämfört med en BJT.

Det blir några olika fall om man vill försöka räkna ut strömmen matematiskt. Vad jag förstår det är du bara intresserad av att ha FET trissan som en switch, då är det mkt lättare. Lägg på en rejäl Vgs spänning så kommer transistorn i princip att kortsluta Drain till Source, precis som en tillslagen switch. För att slå av switchen, lägg på en Vgs spänning som är lägre än Vtr ( ofta 2-4V). så kommer transistorn att se ut som ett avbrott mellan Drain och source.

Alltså, motor på vid 12V på gaten, motor av vid 0V på gaten. Motorn har jag modelerat som en spole i serie med ett motstånd. När du stänger av motorn kommer det fortfarande att vilja gå ström igenom den eftersom spolen är trög, därför behövs dioden jag la dit över motorn för att ta hand om denna backström. Annars kommer strömmen att försöka tvinga sig igenom feten och bränna den i processen.

Nja Vt ligger normalt på ca 0,6v.
(Sitter och tentapluggar det just nu...)

Hmm, det är kanske olika mellan olika Fet familjer. De effekt HEXFETar jag brukat leka med (IRF530 m.fl.) har alla haft Vtr mellan 2-4V enligt databladet.

Kan så vara.
Jobbar mest med FETar på gate-nivå

Instämmer i att 2-4V är ett väldigt vanligt värde på VGSoff.

Vi kanske pratar om olika parametrar?

Tror vi pratar om samma, Vgs offset antar jag att du menar, och det är det jag menar med "tröskelspänningen" Vtr.

Gvs: Kollade lite på elfa, under småsignal fälteffekt fanns det lite allt möjligt, bland annat 0.2 till 1.5 och 0.8 till 2.0. Vanligast för Effektfetar varkar dock vara 2 till 4V.

hm... Nu blir jag förvirrad.
Sitter med boken framför mig och läser om Nmos transistorn.
om Vgs>= Vt så kommer den att leda. på sidan innan står det att Vt=0.43 volt för en transistor med 0,25um teknologi (minimum length device).

Vi torde tala om olika saker men på vilket sätt vet jag inte, känner oxå igen sifran 2-4 volt och vet att den uppges i databladen...

Edit: nu han pagge för mig... då var det utrett iaf...

Jag måste erkänna att jag alltid hoppat över kapitlen där transistorer behandlats på fysikalisk nivå, alltid nöjt mig med att kunna räkna på dem.

Nu får jag lite dåligt samvete när jag hör dig sitta å plugga det :)

Det är inte kul och käns som onödig kunskap...
Jag vill ju bygga roliga saker, någon annan kan få bygga på dopningsnivå.

Kan bara stämma in i lovsången över HEXFETar. IRF730 är en favorit, oki den är oftast för kraftig för att vara helt ekonomiskt riktig, men går å andra sidan aldrig sönder heller...

Har testat lite i Pspice nu o det verkar fungera precis som det ska... dock ett spänningsfall över FET en på ca 0,5V men det är nog som det ska va?

Har dock inte riktigt fattat hur man skall bygga en linjär förstärkar krets eller vad som är skillnaden mellan dom olika FET typerna.

Så finns det någon snäll filur som kan berätta skillnaden mellan FET typer och hur en linjär förstäkar koppling skall se ut?

//Olssoninc

En öppen FET ska inte ha ett spännngsfall över sig. Det är bara en ren resistans. Den är dessutom mycket låg på de lite kraftigare transistorerna.

Ett spänningsfall på 0,5V över FETen när den leder kan nog vara rimligt. Exempelvis har IRF730 en RDSon på 1 ohm, och det ger ju 0,5V spänningsfall vid 500mA Drain-ström.

Du måste nog utveckla lite vad du vill åstadkomma med din koppling. Om du vill bygga en förstärkare finns det ju hur många olika parametrar som helst att ta hänsyn till!

Förenklat kan man säga att en N-kanals FET motsvarar en NPN-transistor, fast spänningsstyrd. Motsvarande för P-kanal och PNP-transistorer.

De olika typer som anges i t.ex. ELFA (DMOS, MOS, HEX) är bara olika tillverkningsmetoder. Det väsentliga är transistorns olika parametrar såsom Vds, Id och VGSoff.