Svenska ElektronikForumet

Vad är det för skillnad på olika transistorer? är det bara hur mycket ström/spänning de tål, eller?

Det är fler parametrar än så:

* Tillverkningssätt (MOSFET, JFET, bipolär, osv)
* Förstärkning
* Kapselns utseende
* Effekttåligheten (den är oftast lägre än Umax * Imax)
* Styrets/basens kapacitans
* Inre resistans mellan kollektor och emitter (source/drain) vid full utstyrning
* MOSFETar är spänningsstyrda, bipolära är strömstyrda
* Frekvensområde
* Användningsområde (olika transistorer är optimerade för olika saker)
* + ett otal saker till som jag inte kommer på just nu...

Den springer fortare än den går.

ang transistorer:
En del är svarta med plasthölje , andra har metallhölje silverliknande
En del har fyra(4) ben andra har tre(3)
Några har basen i mitten andra har basen någon annan stans. mm mm.

SvenPon: Så dålig var inte frågan ändå, det är säkert många som är intresserade av att veta detta. Sedan när henketobbe vet mer får han gärna ställa mer specifika frågor.

De vanligaste parametrarna man måste beakta "till vardags" till är ju:

* Maximal Kollektor-Emitterspänning.
* Maximal Kollektorström.
* Effekttålighet
* Strömförstärkning (Hfe).

>> Schnegelwerfer
För bipolära trissor ja.

För fälteffekttransistorer (FET) är
Vgs(on) = tröskelspänning
Rds(on) = ledningsresistans
Ciss = ingångskapacitans
Vdds = Max Drain-source-spänning

Några av de mest intressanta parametrarna.

kan nån förklara strömförsärkningen? gärna med nåt exempel på en koppling...

Till exempel, tar du ut 1A från emittern på en bipolär transistor med hFE=100 kommer den bara dra 10mA från basen. På så sätt kan man styra en stor ström med en liten ström.

så en transistor förstärker bara strömmen? inte spänningen?

Fritzell: Borde det inte bli 10mA basström? (1000mA/hFE100=10mA)

henketobbe: en bipolär transistor är strömförstärkande, en strömvariation genom ett motstånd blir en spänningsvariation men själva transistorn styrs med ström.

Pjoms skrev:Fritzell: Borde det inte bli 10mA basström? (1000mA/hFE100=10mA)

Helt rätt. Skrev fel, ändrat nu

Av vad jag har hört är en transistordesign baserad på hFE = en dålig design. Detta står i "the art of electronics", sedan försökte jag förstå hur man annars skulle designa kretsarna men kom inte fram till något...

Detta pga att hFE ändrar sig med belastning och frekvens m.m.

>> strombom

Är man ute efter exakt förstärkning är det återkoppling man måste ta till.
hFE får man använda som en riktlinje för var man hamnar i basström.

Jag håller med strombom om att det oftast inte är så bra att designa efter strömförstärkningen. Den kan variera mellan 100 till 1000. En bättre metod är att använda brantheten (gm) som är mycket mer konstant ca 39 mA/V vid 1mA. Dvs 390 mA/V vid 10 mA osv. Och detta gäller med god aproximation för de minsta lågeffekttransistorerna och upp till effektare på 100 Watt. Obs. detta gäller bara för bipolära transistorer. Förstärkningen beräknas så här: F=gm*Rk
Där F=spänningsförstärkningen (ggr). gm=branthet vid aktuell ström.
och Rk är resistansvärdet för motståndet i serie från kollektor till matningsspänningen. Eventuell motkoppling sänker givetvis förstärkningen. T.ex är kollektormotståndet 10 k och Emittermotståndet 1 k blir: F=10k/1k =10