Svenska ElektronikForumet

Länk till avsnittet:

Så, fick ju tag på några IGBT-moduler inklusive rejäla kylflänsar härom månaden, så tänkte filura runt lite..

Dave använder ju en liten mosfet för sin lilla dummy-load, tänkte att den verkade ju enkel nog i sitt utförande, men har stött på lite funderingar.

Som jag har förstått skall IGBT-er gå att använda i det linjära området likaväl som mosfets, men, då uppstår vissa små bekymmer..

Hittat ett "datablad" som tyvärr är på plingplongspråk...

http://www.datasheetarchive.com/MBN300A6-datasheet.html

Det är alltså en MBN300A6 modul jag har. Av databladet har jag förstått att modulen klarar 600V, +-20V mellan gate och emitter, 300A kollektorström, och en maximal effekt på 1200W, men här börjar mitt förstående sluta..

Vad betyder siffrorna längst till höger? Mer specifikt under Vge (off)?

Är en sådan här modul användbar som bas för en konstantströmslast? Hur stabil och bra skulle den vara vid lägre strömmar? (<<1 A)


Är medveten om att Gatespänningen måste vara högre än de ttl-kompatibla mosfets dave använde, men det borde väl gå att lösa genom att använda högre spänning till op-ampen?

Vge (off) är den högsta spänning man kan ha mellan Gate och Emitter innan transistorn börjar leda.

Och såklart kan du använda denna modul så länge du inte överstiger dess gränser.

Ah! Så enkelt! Alltså i princip Vge(th) ?


Då återstår en fundering, om jag vill använda 2st moduler (mest för att dela upp värmen mer jämnt över de kylflänsar jag har), hur fixar man en bra lastbalansering? För jag antar att en direkt parallellkoppling ej är optimal? 2st identiska kretsar och någon slags balansering? Op-amps som försöker hålla strömmen från de två på samma nivå, på något sätt?

Du gör två st. konstantströmskopplingar och parallellkopplar dom. Kan vara en bra idé att styra dom med samma signal.

Ah hjärnglitch, gör jag 2st likadana konstantströmskopplingar och styr med samma signal får jag ju bara dubbla strömmen. Får jag till nåt vettigt dyker det nog upp några bilder i nån tråd inom nån vecka.

IGBTer har en nackdel i linjär applikationer som begränsar dessa- secondary breakdown tolerans är ganska dålig för dessa i DC.

En 1200 W IGBT tål betydligt mindre i DC, dvs kontinuerlig ström, men det är Vce som bestämmer max Ic, finns alltid en kruva som visar detta, och i detta fallet får man utgå från DC. Detta blir dmensionerande för konstlastens kapacitet.

Ett par konstlaster:

Den med de tre "små" kapslarna är inte linjära - de är on/off transistorer som styr tre olika resistiva laster i form av värmeelement.
Den andra är en transistormodul monterad på en processorfläkt