Svenska ElektronikForumet

Hej!

Jag har problem med en krets som ni andra säkert ser felet på direkt. Jag har en N-channel MOSFET (60V 30A) av denna typ:
http://www.electrokit.com/fqp30n06l-to2 ... ogic.49374

Jag kopplar den en enligt nedan "fina" schema där jag använder en optokopplare för att galvaniskt skilja slingorna åt. På ena sidan 5V logik (digital ut-pinne från MCU) och på kraft-sidan 12V och kanske 3A. Alltså även olika jord (även om båda i grunden härstammar från samma nätspänning).

Problemet tycks vara att MOSFET:en är öppen hela tiden, d.v.s. lampan lyser oavsett om optokopplaren leder eller ej, d.v.s. oberoende av om MCUn ger en hög eller låg signal ut. Hela kretsen är säkert totalt överdimensionerad och optokopplaren kunde jag egentligen skippa om jag haft gemensam jord men tycker själv att det borde funka.

Vad är egentligen fel i min krets nedan?

EDIT: Ritade fel nyss, fixat nu.

Du måste dra ner Gaten med ett motstånd mot jord. Eftersom att Gaten är spänningsstyrd (som en kondensator som laddas upp) Så har den en gång fått lite elektroner in på Gaten så kommer den att fortsätta att vara öppen tills det att Gaten laddas ur mot jord.

Aha, trodde gaten hade mega-impedans så att det aldrig blir någon ström där.

Ok, en pulldown på gaten alltså, vilket värde föreslår du - blir 1M lagom?

Min tanke var att optokopplaren kanske inte fixar 12V och bryter ihop - fick för mig att den såg lite svettig ut men tänkte att jag kladdat fluss på den - kanske vettigt att köra spänningsdelning på ner till säg 5V i all fall?

Det är ju just mega-impedans som gaten har, därför laddas den inte ur. Lagom storlek på pull-down beror på hur snabba signaler du kör och hur långa flanker du kan tolerera.

Högt motstånd så tar det ju längre tid att ladda ur gaten så av-flanken blir längre. Fördelen är att det blir mer strömsnålt.

10k är ett lämpligt värde.

Vill man inte ha korta övergångar?
Varför inte köra med tex 4.7k?

Jag frågar för att jag är nybörjare.

Optimalt är ju annars att använda en riktig Gate driver. Eller en så kallad OmniFET som har inbyggd driver.

Ja, nu fattar jag. Det är långsamt värre, kanske 1khz i värsta fall men jag testar ändå med 10k för jag vill gärna ha distinkta av/påslag så får se. Tack så länge!

Japp, 10k pulldown på gaten gjorde susen - funkar klockrent nu

Tack skall ni ha!

Vill man inte ha korta övergångar?
Varför inte köra med tex 4.7k?

Om man går "för långt", så ökar tiden för avslaget istället. Typ att den blir för hårt mättad.
Med dioder kan man sätta individuella tider till- respektive från-slag.

NULL: öööhhhh... Va???

Om man har för lågt värde på pull-down kommer optokopplaren inte att kunde driva hårt nog varför MOSFET'en får svårt vid att få hög nog Vsg till att verkligen gå "på". Optokopplaren driver ju bara x mA och detta värde kan man behöva räkna på om det blir kritisk - men vis "låg" frekvens och "normal" koppling duger 10k ganska bra.