Svenska ElektronikForumet

Hej!

Har funderat lite på detta med att styra två mosfetar i en halvbrygga, tanken är sen att det ska bli en H-brygga men tänkte börja med en halv så länge.
Är inte helt hemma på detta med MOSFETar tyvärr, kollade på en video på youtube där dom förklarade lite. Om jag fattat det rätt så går ström från drain till source om spänningen från gate till source är över Gate Threshold Voltage (i mitt fal 4V) och det verkar ju fungera när jag hade en mosfet. Nu har jag satt upp det som "teckningen" visar, så frågan är då hur kopplar man in den övre mosfeten så man får 24V över resistorn?
+5V blir ju inget bra eftersom det blir spänningsfall över resistorn och därmed blir Gate-Source<4V vilket gör att den inte är på. Tilläggas är att jag vill ha en lösning så att man kan ha vilken resistor som helst och få 24V över den. Så hur får man en spänning mellan gate-source på den övre som alltid är över 4V oberoende av restistorn?

Säg gärna till om jag tänkt fel när det gäller mosfeten då jag som sagt inte är helt hemma på dessa.
Länk till databladet för den mosfet jag använder.

Byt ut den övre MOSFET'en mot en P-kanal så blir det lättare att tänka..

Har du det som nu kommer du (om nu inte jag tänker galet...) behöva en bit över 24V (relativt jord) på Gate för att den ska öppna.

Det är enklare att köra med P-kanal uppe (dvs du får den att leda genom att sätta gate på en negativ potential relativt source), men oftast är det sämre prestanda på P-kanal kontra N-kanal.
För att lösa detta finns det sk gate drivers som kan driva en N-kanal gate på högsidan genom att flytta upp gate potentialen relativt potentialen som ligger på drain. Titta på t.ex. IR2101 som är en sådan driver.

För att svara på frågan. För att Spänningen över R ≈24 V så måste U> ≈ 30V dock alltid MAX 20 V (det är det vanligaste) högre än Source.

Det är alltid knepigt att driva höga sidan med en N_kanal,m en nu har de bättre prestanda så det kan vara värt det.
Vad är det som säger att man kan ha ytterligare en drivspänning som är högre än 24V.
De färdiga highside drivers som finns har en intern spänningsomvandlare för att kunna driva gate högre än drivspänning.

Protte

Tipsar om den här tråden på EF med just tema H-bryggor.

Schysst tråd där!

Vad är det i P-kanals MOSFET som har sämre prestanda? spänning? ström? Hållbarhet?

/Anton

Det är väl som med PNP transistorer, svårare att få samma sprutt i som NPN transistorer.

Germaniumtransistorer är tvärt om, lättare att göra PNP.

Protte

Kanske man kan kombinera Germanium-P med Kisel-N för den bästa effekten..?

Som i SiGe transistorer då?

Vet iofs inte om det är just den kombinationen men ändå...

Nej
Gamla hederliga germaniumtransistorer uppfanns i slutet av 40-talet och var väl helt förhärskande fram mot slutet 60-talet då kislet tog över.
Germanium har lägre framspänningsfall, känsligare för värme.

Att man blandar germanium i kislet är ett modernare påfund.

Protte

Finns det något lämpligare teknologi än MOSFET att använda i H-brygga?

IGBT

Tänkte om det fanns något som man inte kände till. Kanske t.om en som klarar analog område

Både MOS och IGBT går väl att köra i linjära området.

Protte

Jag tycker det går lite långt här nu...
TS ville ha hjälp med en ENKEL MOSFET-koppling, jag har väldigt svårt att tro att det finns så höga krav att en vanlig P-MOSFET inte duger gott.

Diskussionen kan vara intressant, men den hör hemma i någon annan tråd.