Svenska ElektronikForumet

fastnade på ett problem involverat Vgs på den Mosfet jag valt till ett batteriladdnings projekt.

Denna driver tänkte jag på först.

Men problemet blir då att inspänningen Vcc ska kunna variera mellan 12-45v
Och Mosfeten har +-20V i Vgs "Gate to Source"

Visst det är inga problem så länge allt funkar. och man vet in spänning vs batteri spänning.
Men jag skulle gärna komma runt detta problem på ett bättre sätt.



Någon som har en bättre lösning ??

Edit. Mosfeten är en IRFR5505

Det skulle vara möjligt att lösa faktisk.

Placera en 18V zenerdiod mellan Q2 bas och U14 source.

Mellan U21 kollektor och Q2 & U20 bas måste du då ha ett motstånd, lagom värde ska vara så att den valda zenerdiod inte eldas upp av strömmen.

Icecap: jätte bra, är det detta du menar

Zenerdioden sitter åt fel håll men annars korrekt.

Tror nog inte det där med zenerdioden kommer att fungera så bra.
Du har ingen strömbegränsning för zenern nu. Så när spänningen stiger till 19-20V så kommer zenerdioden att gå sönder.

Du är nog tvungen att lägga in ett motstånd mellan Q2-C och jord. Detta får då inte vara för stort då det skall klara av att tömma gatens laddning fort nog, men samtidigt får det inte släppa igenom mer ström än vad zenern klarar.

alis5: du har ganska fel! Strömmen genom zenerdioden bestäms av R4 och till mycket liten grad av de basströmmar som går. Du kanske ska tänka på att Q2 är en PNP-transistor?

Alis 5 skriver att det kommer att gå sönder men jag ser inte hur det skulle kunna gå sönder, Q2 är en PNP transistor.

Är det så snabba switchningar att det krävs aktiv dränering av gate laddning. Är det måttligt snabbt så klarar man sig med motstånd, zener och drivtransistorn.
Kopplingen ser mest ut som att slå på drivspänning till någon sorts elektronik.

Protte

Ska testa detta på ett separat kort först för att se om det funkar bra.
Önskar att kunna köra ~100Khz iaf, får se vad som händer

Tack för tipsen

Så nu har jag fått någon timma över för att testa lite mer.

Funkade över förväntan. Så jag får verkligen tacka för tipset.

Däremot så är det stig tiden, eller rättare sagt återställningstiden för transistorerna som jag är lite fundersam över.

Schemat


R5 är på 3.3K och då får jag detta



Blåa signalen är på gaten på mosfeten.
Och den gula är från PWM signal från en avr mega.

Man kan se att Vr = 10.8V vilket är max spänningen för den undre signalen.
och den går som minst till 5V vilket ger nästan 6,2V som zenedioden ligger på.
Och detta följer när man ökar spänningen ytterligare.



Men som man ser på stigtiden, eller återhämtnings tiden för signalen så är den inte de bästa




Här är samma signal fast på collectorn på input transistorn.
Samma fenomen.


Men jag satte en diod över R5 riktning från transistorn.
Men det gav bara en spik direkt efter signalen faller från MCU, men sedan går tillbaka igen.
Tittar nu på bas spänningen på ingångs transistorn,


så här vart då gate spänningen




Någon som någon ide på hur man kan förbättra stigtiden ??
Desto bättre stig/fall tid desto mindre effektförluster i mosfeten, vad jag har förstått det som.

Ska testa minska R6 och R7 iaf.

Edit
Nu är R6 och R7 1ohm var
får nu


Kan detta ses som tillräckligt bra tro?

Mvh // Micke

Minska R3! Kanske 2,2k eller så.

Montera ett motstånd mellan bas och GND på U21, kanske 680 ohm eller mindre.

Kanske det kan vara lönt att montera R3 parallellt med zenerdioden istället? På det vis ökar du urladdningen av gaten med 220 ohm.

Men viktigast är kanske att du ska göra ett totampol emitterföljaresteg istället.

Men varför kommer du fram med informationen om PWM i detta läge? Hade det inte varit bättre att komma med det från början?
Ska du ha lite frekvenser i det hela MÅSTE det ett "solitt" drivsteg till att klara biffen, det kan mycket väl vara som jag skrev ovan.