Svenska ElektronikForumet

Godagens!

Har kliat mig ett tag över detta samt sökt, men inte hittat mitt svar.
Om jag har en krets med en p-ch MOSFET och en "LOAD", med spänningen V_LOAD över sig, mellan D och GND:


Men, hur är det man ska tänka för att beräkna V_GS?
Då om man drar Gaten (VSS) till GND (0V) så öppnar den sig, vilket måste betyda att V_GS är under -2V.
Jag förstår dock inte hur man ska tänka för att kunna beräkna vad V_GS ligger på.
Kan någon hjälpa mig rätt i denna djungel?

Tack på förhand!
//Emil

V_GS är skillnaden mellan gate och source.
Om du har +5v på source så måste du minst ha +5V - V_GS på gaten.

Tackar! Men förstår inte riktigt hur du menar.
Låt oss säga att V_GS(th) är -2V, måste jag då ha 5 - (-2) = 7V på Gaten för att den ska öppna/stänga sig?
Borde det inte vara tvärt om, VCC + V_GS(th) så man får 3V?

Men alltså...

5V + (-2V) = 3V eller hur?

Ja, precis det jag trodde, det borde vara +, inte -.
Så, spänningen V_LOAD spelar inte någon större roll för hur Gaten uppför sig?

Jo, det ska vara ett plustecken.
Hade det varit en N-mos så skulle det behövas +7v om V_GS är 2volt

Korken: korrekt.

source är ju kopplad till VCC och är alltså referensen.
"load" är kopplad till drain och spelar ingen roll för V-gs

jesse har rätt, S och B är oftast hopkopplade på diskreta mos-transistorer. Sedan är strömmen genom D beroende av spänningen mellan G och S samt att man får se till att spänningen över D och S ligger i det arbetsområdet man vill (strömmättnadsområdet för förstärkare).