Svenska ElektronikForumet

Hej!

Jag tänkte göra en liten modifikation på en sak, nämligen använda en transistor för att koppla förbi en tryckknapp parallellt.
Befintlig krets ser ut ungefär såhär:

databuss-lina : o-----I>|-----/ -----o adress-lina

Det är alltså en diod och en tryckknapp (normalt öppen) i serie. Vad jag vill är att sätta en transistor som kan agera switch.
Databussen har +5V pullup.
Adresslinan går låg när switchen är "vald" och sänker således linan på databussen till "låg" när knappen trycks ner.
Databussen används normalt till annat med och kommer alltså variera i nivå och read/write-läge.
Transistorn skulle ha sin kollektor mellan dioden och knappen och sin emitter mellan knappen och adresslinan.
Jag tänker ha en PIC som styr transistorn parallellt över knappen (helt oberoende av switchens läge) men undrar hur en NPN-transistor kommer reagers om den t.ex. får 5V på emittern och 0V på basen och kollektorn.
Jag har kollat lite i databladen för vanliga BC547 t.ex. och hittar Base-Emitter voltage värden på 5V eller 6V (minns inte), men det måste ju vara framspänning de pratar om?
Vad händer om jag lägger spänning på basen (relativt jord) men emittern har 5V eftersom adresslinan råkar vara 5V men databussen ligger på 0V?

Kort sagt, är det säkert att utsätta en transistor för de olika 0V/5V-kombinationerna på elektroderna (ja okej med strömbegränsningsmotstånd på basen blir det väl inte 5V där ibland) ?

En kompis föreslog en N-kanals MOSFET-trissa (anrikning, gärna med "logic level gate") men är det nödvändigt?

Jag vill inte riskera att sabba databussen på maskinen (en synthesizer) jag vill göra detta ingreppet på så jag undrar om det är "safe" både för den och för transistorn.

Jag har letat på webben men hittar inga exempel på situationer då man har "negativ potential" över kollektor-emitter på en NPN-trissa t.ex.
Någon som vet?

Mvh,
Peter

Du kan väl sätta transistorn på andra sidan om dioden så får du aldrig 5V på emittern.

Vad händer om jag lägger spänning på basen (relativt jord) men emittern har 5V eftersom adresslinan råkar vara 5V men databussen ligger på 0V?

databussen har ju en diod mellan sig och kollektorn , så den drar aldrig ner till 0 volt. Det är ju emitter - bas som kan få 5 volt "bakvägen" om basen är nolla.

Om du använder NPN så borde ju PN-skiktet spärra ström från emitter till bas, om det nu funkar så.
Det är ju annars enkelt att koppla upp och testa de olika lägena och se vad som händer., alltså inte till din data/adress-bus utan till ett par omkopplare och en voltmeter. Häng på ett par motstånd (100Ω) så kan du se hur strömmarna går. Basmotstånd ska du ha i vilket fall som helst, minst 1k

men ursprungskopplingen är lite underlig - trycker du på knappen då databussen är hög kommer ettan att sprida sig till adressbussen - såvida inte databussen är av typen "open collector"?

Hej!

Ja, ursäkta. "Adressledningen" är alltså en utgång från en OR-grind som valts (aktiv låg) genom lite decoders osv. Det är alltså ingen direkt adressledning utan mer som en chip-select om du förstår
Jag tycker också att PN-skiktet borde spärra men om det ändå är en onaturlig belastning för transistorn som kan få den att gå sönder efter en "kortare" tid än normalt är det ingen jag helst vill göra.

En vän föreslog som sagt en MOSFET istället så jag inte behöver dra ner bas-strömmen genom OR-grinden. Jag kommer dessutom ha två uppsättningar av denna konstruktion som leder till samma OR-grindsutgång. OR-grinden är en 74LS (om jag minns rätt) så jag vet inte om jag vågar plåga den för mycket heller.

Hur som helst kommer det ju uppstå samma situationer med en MOSFET men det kanske är mindre petigt för dem, så länge jag har dioden på plats.

...

Okej, jag skrev frågan från jobbet men jag har ritat lite i Eagle nu här hemma:

Kanske är lite mer uppenbart nu

Det till vänster om den prickade linjen är befintliga komponenter. Det till höger är min "modifikation".
Jag vet inte om jag kan löda snyggt mellan dioderna och knapparna så jag kanske får lägga till mina egna dioder vid trissorna men det är väl okej.

Jag har funderat på att koppla upp det på breadboard och testa lite men som sagt är jag mest orolig för långvariga effekten eller om det kanske råkar funka när jag testar men att det smäller förr eller senare.

Så, det jag undrar är om någon vet ifall det är skadligt för en transistor att få 0V på basen och 5V på emittern och ifall det är värt att använda MOSFET-trissor istället.
Något förslag?

Mvh,
Peter

Så länge strömmen igenom transistorn inte överstiger de i databladet angivna värden är det lugnt. Zener-effekten i en backspärrat BE-sträcka brukar ligga runt 6V eller mer varför det inte skapar problem heller.

Hej igen.
Okej tack. Jag tror ändå jag kommer prova MOSFET för att undvika basströmmen. Jag vet inte exakt hur mycket annat som OR-gaten måste sänka när den ger ut 0V och jag är rädd att överbelasta den med extra basströmmarna.
Jag antar att det inte är några motsvarande problem i Gate-Source fallet då gällande backspänning med 0V på gate och 5V på source.

En mosfet borde fungera jättebra här. Se bara till så att den bottnar då Vg = 5 volt. Många MOSFETar behöver 10 volt på gaten.

Backspänningen på E-B för en BC547B är 6 volt max så det hade fungerat bra. En 74LS krets klarar basströmmen utan problem - sätt ett 10k motstånd på basen bara.

Enda man behöver tänka på är som sagt basströmmen sålänge man inte överstiger maxeffekten. Råkade glömma motståndet på basen en gång, tog tre trissor innan jag fattade vad som var fel

Det bör inte vara några problem alls
annars för hänglse och livrem så ta en optokopplare istället..
alternativt en diod i serie med basen...

Swech