Svenska ElektronikForumet

Jag funderar på att använda en fotodiod ihop med en NPN-transistor. När jag belyser fotodioden vill jag att backströmmen ska bli så pass stor så att den som basström kan öppna transistorn. Hur mkt ström som kan passera genom fotodioden har givetvis att göra med hur mkt den öppnar sig beroende på hur många fotoner som träffar ytan.

Hur räknar man på detta? Vet bara att lasern jag vill att fotodioden skall detektera har en våglängd på 650nm och en effekt på 3mW.

Vad menas tex med en fotodiods känslighet som står under spec?

Hoppas någon kan ge en ledande hand

Vad heter dioden?
Har du kollat databladet?

Nee... jag syftade inte på ngn speciell fotodiod utan det är lite det som är problemet, vilken jag ska välja. Det enda jag vet och borde utgå efter är att min lasermodul är på 3mW och har en våglängd på 650 nm.

Utefter det tänkte jag man kanske kunde hitta någon lämplig fotodiod som ger en tillräcklig stor ström.

Då behöver du en diod som har störst känslighet i det området(650nm) och det står i databladet, bara att köra igång och leta.

Inte lättare att använda en fototransistor istället?

Okej, hittade inte riktigt någon fotodiod som var klockren i området 650nm. Kollade sedan på fototransistorer och där hitta jag däremot en som nog skulle kunna fungera.

PT908-7C
Känslighet: 0,5 mA @ E = 1 mW/cm²
Vad menas med det?

Får man basströmmen Ib=0,5 för ljusintensiteten 1mW/cm2?

Med min våglängd kommer känsligheten i alla fall ligga nära 80% enligt databladet.

Tack för svar!

>> Får man basströmmen Ib=0,5 för ljusintensiteten 1mW/cm2?

Det är nog kollektorströmmen de menar.

Behöver man snabbhet och noggrannhet är en PIN-fotodiod att föredra.
De har en kvantverkningsgrad på typiskt 80%.