Svenska ElektronikForumet

Jag letar efter en transistor som skall klara av att tända två parallellkopplade glödlampor och har hittat den här:

http://www.elfa.se/pdf/71/07104433.pdf

Det står så här:
MAXIMUM RATINGS
Collector-Emitter Voltage (Vceo) 45 Vdc
Collector-Base Voltage (Vcb) 45 Vdc
Emitter-Base Voltage (Veb) 5.0 Vdc
Collector Current (Ic) 4.0 Adc
Base Current (Ib) 0.1 Adc

Skall jag tolka detta så här:
För att transistorn skall släppa igenom maximalt skall jag lägga på en spänning av 5 Volt över Emitter/Base. Strömmen som då passerar över Collector-Emitter får inte vara högre än 4 Ampere.

4A*12V=48W -----> Fullt tillräckligt för att driva lite lampor.


Sen är ju det där MAX värden så vad är lämpligt att lägga på för spänning för att öppna maximalt?

Jag tycker att det är lite knepigt med transistorer men det är väl för att jag är insnöad på reläer. Vill liksom att de skall vara antingen på eller av...

Nja, .....om man av nån anledning får en LÄGRE spänning på basen än på emittern...så får inte basens spänning bli mer än 5 volt lägre än emittern...i detta tillstånd är transistorn strypt----alltså transistorn leder ingen ström......för att transistorn skall leda ström, måste basspänningen vara ca 0,7 Volt HÖGRE än emittern.....om basströmmen är tillräckligt stor, så kan 4 Ampere sänkas igenom transistorn..........klarnar det?

Om den är märkt 4A är det inte så bra att ligga att pressa den till max hela tiden. Skaffa en 2N3055 istället. Finns istortsett överallt och klarar betydligt högre effekter och är inte svindyr heller. Nackdelen är att den har mycket lägre Hfe så basströmmen blir större.

Npn transistorn "öppnar" mellan collektor och emitter när det är ca 0.6V mer på basen än emittern. Den är även strömstyrd så det finns en strömförstärkningsfaktor med också som kallas Hfe vilket betyder att om du vill ha 4A mellan C och E så kommer den behöva 4A/Hfe från basen->emittern. Sätter du ett motstånd som begränsar strömmen till MINDRE än av den måste ha för att öppna för 4A så kommer den "strypa" strömmen genom C->E

Tack! Ja nu klarnar det lite, det där med Hfe hade jag missat helt. Har läst igenom det ni skrivit några gånger nu - skall testa att räkna lite på det så får vi se om jag fattar.

Gör det annars är det bara säga till

Nu har jag spånat lite men jag har kommit fram till att jag inte fattar riktigt. Låt oss säga att jag vill använda en BD438 (PNP - se länken nedan för data) istället för ett relä. Det jag vill göra är att blinka två parallellkopplade 12-volts glödlampor, 15W vardera från en AVR ATtiny.

Mikrokontrollern drivs med 12V genom en TS78M05CZ som reglerar ner spänningen till 5V. Genom transistorn skall det dock flyta 12V, typ. 2.5A.

Eftersom jag är van att jobba med reläer tänker jag så här:
Jag måste jorda Basen, detta gör jag genom att mikrokontrollern sätter en pin till LOW. Mellan transistorn och uC måste jag ha ett motstånd - hur räknar jag ut storleken på detta?

BD438 datablad:
http://www.elfa.se/pdf/71/07104797.pdf

Ta en FET istället (t.ex IRL510) så behöver du inte dra så mycket ström genom basen/gaten. IRL510 är logiknivåkompatiblel och du kan (förmodligen) driva den direkt från uC.

Att köra med PNP-transistor på detta sätt, kan du bara göra om du kan konfigurera microcontrollerns utgång som pullup-utgång. Om detta inte går bör du använda dig av en NPN-transistor istället!

EDIT: attan, magnus hann före....nåja....oav sett om du väljer att använda bipolär transistor eller mosfet, så bör du använda dig av en "basresistor" så att inte microcontrollerns utgång pajar..

Ok, skall kolla på IRL510. Anledningen att jag måste använda en PNP är att jag måste ta lampan på plussidan, alltså i bilens original kabelmatta. I andra änden jordar lampan i sin hållare och sedan direkt i chassi.

Du skall driva 30 W på 12 V....detta är 30/12= 2,5 Ampere...precis som du säger........men om du tänker på att microcontrollerns utgång kanske bara kan leverera 10-25mA....då måste hfe vara minst 100....å då måste utgången ligga på max hela tiden....då är det nog bättre att göra som magnus föreslår.....att använda en mosfet-transistor.

"Ok, skall kolla på IRL510. Anledningen att jag måste använda en PNP är att jag måste ta lampan på plussidan, alltså i bilens original kabelmatta. I andra änden jordar lampan i sin hållare och sedan direkt i chassi."


Jaha.....

IRF9540N/IR är en bra p-kanals mosfet....med en npn-transistor "emellan" .......kan det vara nåt?

Ok, tack för att ni hjälper mig! Jag ritade en bild på IRF954. Om jag förstår dig rätt är det den röd-inringade delen du menar med "npn transistor emellan". Den är alltså inbyggt i den stora så att säga?

Fungerar kopplingen som jag ritat upp?
Mikrokontrollen skickar väl ut en HIGH på gaten som sedan förstärks och öppnar mellan +12V och lampan?

Behöver jag sätta en spärrdiod på lampsidan för att stoppa spänning från bilens elsystem när bilen vill tända lampan eller skyddar transistorn mot backström också?

Du kan driva med PNP/P-MOS.

Koppla basen/gaten på PNP/P-MOSen till kollektorn på en NPN, samt ett motstånd till +12V. NPN:ens emitter till 0V. Och sedan basen på NPN:en till uC via ett motstånd.

En 1:a på uC driver spänning ut på från PNP/P-MOS:en.
En 0:a på uC stryper PNP/P-MOS:en.

Greensilver, din bild fungerar tyvärr inte. Dioden du ser i kapslingen kommer alltid att leda och göra så att lampan lyser.

Pilen på bipolära och MOSFET:ar är tvärtom. En inåtpil är N-MOS och en utåtpil är P-MOS.

På din bild har en en P-MOS och där ska source vara kopplad till +12V och drain till lasten (och sedan vidare till jord).