Svenska ElektronikForumet

Någon som vet vad dessa betyder, speciellt Vce_sat?

* Collector to Emitter Saturation Voltage Vce_sat [Volt]
(antar att det betyder spänningsfallet C-E under maximal strömbelastning?)

* Gate to Emitter Threshold Voltage Vge_(th) [Volt]
(antar att detta betyder vid vilken spänning som halvledaren går in i full mättnad)

* Switching SOA SSOA [Ampere]
(maximal pulsad ström, då kontinuerlig är specad till ca 70% av detta)

* Gate to Emitter Plateau Voltage Vgep [Volt]
(den spänning där ökad inspänning till G-E inte ger någon skillnad i mättnad?)

Förekommer i datablad som t.ex. i IGBT:
http://www.fairchildsemi.com/ds/HG/HGTP20N60A4.pdf

Vce_sat är ce spänningsfallet med fullt öppen transistor och ström enligt datablad.

Vge_th är samma sak som Vgs_th på en fet, gatespänningen som transistorn börjar öppna vid.

Vid Vge_th drar dock normalt inte en FET till mättad utan man måste upp en del extra i spänning för att vara säker på max strömledning genom den, runt 12V brukar vara tillräckligt. Ju lägre spänning på gate desto mindre ström kan man trycka igenom pga att Rds_on ökar vid lägre spänning på gate.

Sänker du gatespänningen under Vge_th så är transistorn stängd eller Vgs_th på en fet.

Vce-sat är ce spänningsfallet med fullt bottnad transistor. Dvs när spänningen ce inte kan bli lägre, genom att öka basströmmen. Saturated innebär att transistorn leder så mycket som det går.

Är "Gate to Emitter Plateau Voltage Vgep [Volt]" den gräns där mer spänning inte ökar ledningsförmågan så att säga ..?

Bör ju finnas någon parameter så man vet när det inte är lönt att öka spänningen

Tänkte att IGBT lättare än MOSFET kunde drivas av TTL utgångar. Men där fick man tji..

Transistorer har ju den där 0,7V fallet över C-E tyvärr.

Du har inget 0,7V spänningsfall mellan c-e, det är snarare ca 0,1- 0,2V.
Du förväxlar med Ube. Bas-emitterdioden beter sig som en vanlig diod. Mellan c-e har du inte en diod.

Min tanke var att kontrollera i vilken ordning spänningsomvandlare slås på. Så att 3,3V utgången höjer basen på en halvledare till ingången till 1,2V omvandlaren. Dessvärre så bör den då klara sig med just 3,3V..

Fast nu är det ju IGBT det handlar om, där är det 1-3V Vce(sat) beroende på typ. Snabbare typer brukar ha högre spänningsfall.

Vgep är spänningen under switchomslaget, se platån i figur 14. Men det behövs mer spänning för att transistorn ska bottna ordentligt.