Svenska ElektronikForumet

Hur mycket spänningsfall ska man förvänta sig över en MOSFET?
Har en IRF511 som tappar ca 5 V oberoende av om lasten är induktiv eller resistiv. Matas med 9 V och styrs från en LM324 som nog ger gaten 0 och 9 V i PWM. Har simulerat samma krets i Multisim och där gör en liknande transistor likadant. Har runt 100 Hz i switchfrekvens.

Borde man använda en bipolär istället?

Det beror ju på strömmen, en fet beter sig i princip som ett spänningsstyrt motstånd.
IRF511 har en RdsOn på 0,4-0,54Ohm vid en gatespänning på 10V.
Så antingen gör du nåt fel eller så blir det väldigt varmt och du skulle nog satsa på en bättre transistor, fortsätt med mosfet föralldel de är lättdrivna.

Hur mycket ström ska du ha igenom?

Kanske mätfel tidigare men nu har jag kopplat upp det (i Multisim) som Vcc-last-MOSFET-GND istället för Vcc-MOSFET-last-GND och får inte mera än 1.5 V över transistorn. Kan det ha betydelse?

Högst mycket betydelse, resistansen mellan drain och source beror på spänningsskillnaden mellan gate och source och eftersom du i din första koppling drar upp source så blir spänningen mellan g och s lägre och transistorn stänger.

Ska du styra på plussidan får du använda en P-fet och sänka gaten istället.

Jahapp, det förklarar också varför transistorerna går så varma i min datorfläktkontroller

En enkel tumregel är:
N-chan : trissan till GND, lasten mellan matningen och trissan.
P-chan : trissan till matningen, lasten mellan trissan och GND.