Svenska ElektronikForumet

Hej!

Transistorn är till för att styra en pull-up. Det gäller att när en utgång på min uC blir låg så ska en ledning dras upp till 3.3volt. Jag kopplar utgången till Base och spänningsmataren till Emitter. Ledning som ska dras upp till 3.3volt kopplas till collector. Hittills låter väl allt rätt?

Frågan är om denna transistorn duger till det?
Duger den här transistorn till det? http://www.st.com/stonline/products/lit ... s/8844.pdf
Collector-emitter saturation voltage: -0.5V
Base-emitter saturation voltage: -0.9V

Är det korrekt att säga att kollektorn kommer att dras upp till 3.3volt om basen är under 0.9Volt?

Tacksam för svar..

Ditt tänk verkar ju stämma, men du borde ha ett basmotstånd - annars går det väldigt mycket ström från basen (via emittern) in i processorns utgång. Inte bra. Välj något mellan 1-10K.

Finns det redan en last som drar ner ledningen till 0V när den ska vara det? Annars borde du kanske ha ett motstånd också på ca 10K ner till 0V från kollektorn, annars riskerar linjen stanna på 3.3 volt eller bli flytande = odefinerat läge (pga kapacitanser med mera)

EDIT: jag förutsätter att processorn också drivs på 3.3 volt.

Ja, processorn drivs också på 3.3v.

Jag kom på att en MOSFET transistor borde väl vara bättre? Den läcker inget från source till gate, eller?

Jag har ett pull-up motstånd från drain till ledningen som ska dras upp på 10k.

Vad för värden borde jag kolla när jag köper en MOSFET-transistor till 3.3volt krets?

Nja, varför skulle en MOS vara bättre? Enda orsaken skulle vara om du absolut måste dra så lite ström som möjligt från processorns utgång, annars funkar nog en bipolär minst lika bra i det här läget. Gatemotstånd bör du ha likaväl. Med en MOS kan det bli svårt att hitta rätt värden : 1) du måste använda en p-MOS och den drar i så fall när gaten blir låg. MOS'en måste bottna vid en negativ gatespänning på endast -3.3 volt. (eller något lägre då prcessorn inte ger absolut 0V vid "nolla".)

Hur snabb ska den vara? Är det snabba omslag som gäller måste du tänka på gateladdningen. Är det inte lika bråttom duger det med ett 10K motstånd från utgång till gate.

Okej, jag fick för mig att MOS:en inte skulle dra så mycket när gaten blir låg men det verkar fel.

Jag kör på förslaget som jag sa först, med den bipolära transistorn från STmicroelectronics och lägger till ett 10k motstånd mellan uC och basen. Alltså både ett 10k motstånd mellan bas och uC utgång samt ett 10k motstånd mellan kollektor och ledning som ska dra upp!



Tack för hjälpen jesse, det underlättar något oerhört!