Svenska ElektronikForumet

Har jag rätt när jag tänker att MOSFET:en som styr switchningen i en boost-converter, som är byggd enligt bilden, ska ha hög strömtålighet, men inte behöver klara högre spänning än de 8.4V + marginal?

Nej.

Din transistor ska klara av att hantera utspänningen plus marginal, vilket brukar innebära dubbla utspänningen (medelspänning över C1).

Ok, då blev det svårare. Hur räknar jag ut vilken strömtålighet som behövs?

Det är primärsidans ström som är högst, så det är ju ett riktvärde. Räkna ut den för maximal last och lägg på marginal för toppströmar från reverse-recovery och sådana fenomen som uppstår obönhörligt.

Det här verkar verkligt vimsigt. Vilken spänning skall Du ha ut? Hur mycket ström skall Du ha ut?

Har Du en färdig beskrivning av något slag att gå efter? Hur har Du tänkt Dig resten av kretsen? Var kommer värdet på drosseln ifrån? Det tycks vara väldigt lågt.

Vill inte verka negativ, men det förefaller som Dina kunskaper ännu inte räcker riktigt för att se alla de svårigheter som finns i att själv göra en sådan här konstruktion. Det här är inget lämpligt nybörjarprojekt. Skall det kunna lyckas måste Du börja med att lära Dig hur kretsen i detalj fungerar och vilka olika begränsnigar verkliga icke-ideala komponenter har.

Zlim00 skrev:Ok, då blev det svårare. Hur räknar jag ut vilken strömtålighet som behövs?

Mosfet:ars maxström är en ganska intetsägande egenskap. Det intressanta för strömtåligheten är Rds(on) vid drifttemperatur (kan vara 1,5-2 ggr rumstemperaturvärdet) och vilken förlust denna medför och om denna är acceptabel.