Svenska ElektronikForumet

Jag tänkte bygga en pryl som PWM-reglerar en ganska stor last, och då använda mej av en N-channel MOSFET för att styra lasten.

När man googlar lite på hur andra har löst det så verkar dom flesta ha satt dit flera paralellkopplade trissor istället för att bara ha en, varför gör man detta ? detta gäller alltså även vid lite lägre laster, ska man ha en kapacitet på 300A så verkar folk välja tre som klarar 100A istället för en som klarar 300A, fins det nån fördel med detta eller ? ..enklare att kyla ?

Enl spec så borde tex denna klara av det jag vill göra ensam:

http://www.st.com/stonline/products/lit ... 55l-06.pdf

..Men jag kan ju lika gärna ta några mindre om det ger mej fördelar..

Ofta är det väll mer ekonomiskt att välja flera små än en kraftig, + att många lixom jag försöker använda sig av det som finns i bra & ha lådan i första taget.

Den du länkar till klarar inte mer än 80A enligt databladet.
100% pulskvot är ju lika med kontinuerligt ström flöde.

Och sen vill man nog gärna överdimensionera en smula med, så behöver du 80A så bör du ta en som klarar mer (eller flera små)

Risken vid parallellkoppling är väl att en tar hela lasten eftersom den råkar ha lägre resistans än dom andra..?

Ta en titt på max effekt som mosfet:en klarar. 3st klarar 3ggr så mycket effekt som en ensam gör (i samma kapsel). Ofta handlar PWM:ning om kunna kyla bort förlusterna.

Tänk på att databladet ofta anger max ström/effekt vid 25 grader. Vid 100grader på kapseln kan tillgänglig effekt ha sjunkit till mindre än hälften.

Jo, men till min applikation räknar jag med 40A vid ca 7-8V, och då borde 80A vara tillräckligt överdimensionerat.. fast det klart, det skadar ju aldrig att klara ännu mera.

Det jag skrev om 300A osv var mer ett exempel, en av applikationerna jag googlade fram hade just tre stycken 100A istället för en på 300A. Om jag skulle ha säg två stycken för mitt bygge så skulle jag ju troligen välja två 40A istället för en 80A.

Det med temperaturen hade jag inte funderat på däremot, det kan ju vara en anledning att överdimensionera mer. Speciellt som det kan bli tight med plats för stora kylflänsar.

Blueint: Det är sant, fast risken att råka ut för det i verkligheten är väll lika stor som att vinna 10mille på bingolotto.
Rehnmaak: Nä tvärt om väll?, PWM:ning handlar om att reglera ner effekt med absolut minsta möjliga värmeförluster = hög verkningsgrad.

Kanske utryckte mig fel. Kraftelektronik handlar för det mesta om att kunna kyla bort förlusterna...

Jag har nyligen haft en lång disskusion med supporten på International Rectifier om detta. De kunde inte förstå varför vi körde 6 parallella trissor istället för en som klarar hela strömmen. Grattis säger jag bara våra 100 A kommer fram genom en 35mm2 kabel den är svår att löda på en 1mm2 pinne på en transistor typ kabeln är lika bred som kapseln. Och köra 100 A på kretskort är inte så kul det heller. Vidare kommer man till styrningen av transistorn, är inte flankerna helt perfekta så blir transistorn varm. Jag har rökt en del pga. dålig gate drivning. Då är det bra att fördela förlusterna över ett par stycken.

Devisen är att är det stora strömmar skall helst fördelas.

Ja, det var ju ett argument förstås.

Jag tänkte ju beställa nya komponenter så det blir ju egentligen billigare med en stor än tex tre på en tredjedel av effekten, men det kanske är en bra ide ändå, även om jag har betydligt lägre strömmar att leka med.

Jag hade ju tänkt att göra hela effektdelen som ett skatbo med kablar lödda direkt mot benen på trissorna.

Sedan måste man tänka på att vissa laster tar många ggr mera ström innan de värmts upp/kommit igång. Sådana saker bestämmer också till stor del vilka marginaler du behöver för transistorerna.

En annan sak, två värden man stöter på är ju Qg-värdet, "Total gate charge", hur påverkar detta ? ..och RDS on (nom/max), detta är väl om jag fattat det rätt resistansen mellan drain och source ? ..och den ska väl vara så låg som möjligt rent logiskt, men hur mycket påverkar det mej om den är på 0.37Ω istället för 0.15Ω ?

Om du ska dra 40A genom den, så får du ett spänningsfall på 14,8V med 0,37Ω. Det blir en effektutveckling på 592W.
Med den på 0,15Ω blir det 240W. Båda är på tok för mycket.
När du börjar krypa ner mot och under 0,01Ω så kan vi snacka om en mer lämplig kandidat.

Var det inte 0.0065ohm i den transistorn från ST? Isåfall blir ledningsförlusterna 10W. Men det gäller att switchförloppet är snabbt och att switch-frekvensen inte är för hög för annars blir det nog varmt ändå...

0.0065Ω på den jag tog som exempel innan ja, men jag hittade ett par kraftfullare och billigare varianter som hade 0.15 resp 0.37.

Det kan ju i sig vara en anledning att använda flera då.