Svenska ElektronikForumet

Vad är det korrekta sättet att räkna fram gate motståndet på (Rgate)?

Tänkte driva med LVTTL utgång Vil<=0,8 Vih>=2,0

Hittade dessa MOSFETar på ELFA:
MTD20N03HDL Y 71-313-03 16.60 SEK
IRF3706/IR 71-146-55 22.50 SEK
IRF3708/IR 71-147-13 22.50 SEK
Dessa har extremt låg Vgs vad jag kunde se. Förhoppningsvis passande LVTTL.



wiki: MOSFET
CMOS gate circuitry

Det beror ju på... För det första tycker jag att det är lite vanskligt att driva mosfet med så låga spänningar. Koppla gärna ett riktigt drivsteg med en eller två bipolärtrissor..

Hur snabbs skall du switcha?
hur höga strömmar?
Hur ofta?
EMC krav?

Går omöjligt svara på frågan utan att veta vad du vill göra... Dock... maxdrivning på din logik ger dig ett svar. Säg att din logik kan driva 10mA och detta vid 3,3V så får du 3,3/0,01 som minsta värde på gate motstånden för att hålla dig innom specen. Dock om du switchar sällan så kan det vara idé att öka värdet för att switcha långasammare för att minska på störningarna och nivån på frånslagstransienter samt ringning.

Tid: <10 ms (0,01s)
Ström: 0,3 - 1,3 A (TFT modul)
Frekvens: Tillslag 0,5s under en 10s period
EMC: Inga krav
Drivström: <=24 mA

För en NPN-transistor som är en "ström förstärkare" räknas väl basmotståndet i sådant här sammanhang med Rbas=(Ubas-Ube)/Ibas (och beroende på hfe). Där man räknar med 0,7V spänningsfall över Bas-Emitter.
Men en MOSFET är en spänningsstyrd strömshunt vad jag vet så iom att den är spänningsstyrd. Blir jag lite konfunderad på vilket gate motstånd som är det "rätta" enligt alla konstens regler.

Det behövs inget motstånd.

Du kan inte köra en N-kanal med så låga gatespänningar om du har lasten på S.

Om Q1 och Rload byter plats, går det bra..?

I alla fall bättre, du får studera kurvorna i databladet så ser du exakt hur det ser ut vid olika förhållanden.

Har kollat Ids/Uds med olika kurvor för Ugs. Men tänkte klura ut teorin innan jag sätter lödkolven i bygget så att säga

Jag orkade bara titta på den första, enligt fig 1 bör du nog inte gå under 3-3.5 V för Vgs för dina krav.

Rekommenderar en titt på dom två sista. Listat med Vgs 1.6-2.0 enligt ELFA.

Gatemotståndet sitter där för att begränsa strömmen in till gatekapacitansen till ett för drivelektroniken godtagbart värde. Mosfetar har en kapacitans som lastar drivkällan - större FET högre kapacitans - switchar man sällan så gör den inte så mycket, men speciellt i PWM och andra snabbswitchande sammanhang kan det bli avsevärda strömmar in på gaten.

Att inte sätta dit motstånden fungerar om man switchar långsamt, MEN belastar utgången från logiken utanför vad den är specifierad att klara vilket leder till störningar (på matningen till logiken) samt en viss risk för felfunktion med tiden. Att utelämna gatemotstånd är fel och inte så som man skall konstruera.

Enligt IRs datablad är den första kurvan för IRF3706 med 2.5 V Vgs.

@probe:

Mao, Rgate = Ugate/Imax ..?

Rgate = Resistans i serie med gaten.
Ugate = Maximalt förväntad spänning över Gate-Source.
Imax = Maximal ström som utgången som driver gaten kan klara.

Borde i detta fallet bli: 3.3V / 5.6mA = 589 ohm

Och på det sättet undvika switchtransienter på strömförsörjningen eller blåsta utgångar.