Svenska ElektronikForumet

Detta är en P , MOS transistor:
http://www.elfa.se/pdf/71/07107451.pdf
Och detta en P, HEX transistor.

Noterade att hex varianten knappt påverkas knappt
gate mot jord ger 12V ut
gate mot +12V ger 11V ut

Mos versionen fungerade utmärkt men gav inte tillräckligt med ström.
Men vad är skillnaden?
Har en trave med till synes oandvändbara krafttransingar hehe.

HEXFET är ett namn som är skyddat och som beskriver en MOSFET med 6-kantiga celler.

Kraft-MOSFET tillverkas oftast som en massa parallellkopplade mindre MOSFET, det finns ett antal olika sätt att göra detta på och en av dom innebär 6-kantiga celler och då HEX är 6 på grekiska(?) var det väl någon snabbtänkt som reggade varumärket HEXFET.

Att göra cellerna 6-kantiga är ett bra sätt att utnyttja ytan maximalt. 100% av ytan blir nyttjad på det sättet samtidigt som formen är ganska nära rund (i motsats till en kvadrat som också skulle gett 100%).

Men hur kommer det sig att alla verkar vara trasiga?
Vad gör jag fel?
Det är väl inte meningen att de inte ska gå o stänga strömmen?
Den driver ju min 80mm fläkt med 11V eller 12V beroende på om gate sitter mot jord eller plus, nått fel gör jag säkert.

Då det ju tydligt framgår hur du har kopplat (*NOT*) är det ganska svårt att svara på.

Kan det vara något med den back-diod som finns med i kapslingen?

Oj sorry.
Jag har kopplat den både bak o fram så att säga.
Dvs låtit strömmen gå både från drain till source och från source till drain (vid olika tillfällen förstårs) och sedan lägga olika såänningar på gaten.
Men bara fått den som klarar 1A att fungera men inte de kraftigare.
Kan ju ha förstört dem i hanteringen men lite märkligt om jag förstört så många, 8 stycken.

Provade o ta bort 10K motståndet till gaten på en men det hände ingenting.
Ska det vara ett motstånd eller inte, fått rådet med motsånd för att de annars går sönder.

MOS-trissor är spänningstyrda inte strömstyrda så ett motstånd till dess gate är det väldigt sällan som man behöver. En vanlig bipolär trissa kan man däremot skada om man kör utan ett basmotstånd.

Om du lägger upp en bild med ditt schema så kanske du får mer precisa svar.

Ett pull down motstånd på ungefär 10k är ofta en bra idé alltid med n-kanals mosfet. Detta för att den inte skall börja "halvleda" vid frånvaro av aktiv signal på Gaten. Det kan också skydda emot vissa ESD situationer. Till Gatemotstånd är dock 10k för stort enligt min mening - allt beroende på önskad switchtid och gatekapacitans, men mågot 10-tal till något hundra tal ohm är oftast rätt lagom.

> gate mot jord ger 12V ut
> gate mot +12V ger 11V ut

Vad menar du med "ut" ???

Om du ska köra med motstånd så ska du köra med några10-200 Ohm
inte med 10k ohm.

Precis, MEN gate till jord är inte fel att koppla 10k för att undvika att den går in i halvledande tillstånd och brinner upp om den inte får aktiv styrning från MCU eller vad det nu är som tillhandahåller drivsignaler.

Jo visst ,men det jag menade var värdet på eventuellt
driver motstånd, det somftades tidigare i tråden.

Med avseende på MOSFET'en så kan motståndet inte vara för lågt.
(I princip).

Det som begränsar är hur stor ström som det som *driver* gaten
klarar av att leverera.

T.ex om man driver en gate direkt från en mikrokontroller så kan det
vara bra att ha ett gate-motstånd som begränsar strömmen till vad
som mikrokontrollern tål, vanligen ca 25 mA.

Om man har en speciell "mosfet-driver" imellan, så kan de normalt
ge 1-2 A och gate-motståndet kan då vara betydligt mindre...