Svenska ElektronikForumet

Jag behöver driva en stor kapacitans (10-tals uF) starkt (100ns max). Finns det någon iC som klarar detta, eller behöver man en diskret lösning?

Vilken ström behver du för att klara timingkravet ?

Kapacitans*spänning/tid -> 50*10^-6*5/(100*10^-9) ~= 2500A... Hmm. Nu har jag nog räknat galet. Sist jag grejade med detta hade jag 0.5A kapacitet på diskreta trissor med IR2104. Det blev tillräckligt bra, så jag antar att något i samma storleksordning skulle fungera. dvs runt 0.5-1A

Kolla in Elfa: Linjära kretsar -> drivkretsar. Gate-drivkretsar med utgångsimpedans på några få ohm och stig/falltid på tiotals ns är inte ovanligt.

> och stig/falltid på tiotals ns är inte ovanligt

Det måste väl i alla fall förutsätta att man håller sig inom de gränser
för kapacitiv last som databladet specifiserar ?
De kan ju inte garantera 10-tals ns under vilka förhållanden som helst...

Jag är intresserad av att veta hur man räknar ut detta

Igår räknade jag med RC-tjohejet baklänges och fick det till att det som driver ska ha högst 20ohm utimpedans för att orka driva 10µF hög på 100ns

Räknade med 5RC som full laddning (slarvade bort uträkningen när jag skulle sova, trodde någon skulle hinna svara så jag kunde verifiera mitt resultat)

sodjan skrev:> och stig/falltid på tiotals ns är inte ovanligt

Det måste väl i alla fall förutsätta att man håller sig inom de gränser
för kapacitiv last som databladet specifiserar ?
De kan ju inte garantera 10-tals ns under vilka förhållanden som helst...

Jag antar att de anger stig/falltid olastat med kretsen. Alltså är de med flera hundra ns specifierad ganska långsamma internt, i jämförelse. Naturligtvis beror systemets stig/falltid på vad man försöker driva med kretsarna.

j10

r*c = tau

20*10µf=200µs

behövs under 0.01 ohm i utgångsmotstånd för 10µf och 100 ns

ger kanske 500A i toppström, det blir nog en diskret lösning

Nyfiken...
Vad handlar det hela om ?
Vad ska lösningan användas till ?

grym skrev:j10

r*c = tau

20*10µf=200µs

behövs under 0.01 ohm i utgångsmotstånd för 10µf och 100 ns

ger kanske 500A i toppström, det blir nog en diskret lösning

Oj... hmm, ja, man kanske skulle ha kontrollräknat också så man slipper visa hur bra man är på matte

Nu har jag dock lyckats räkna rätt och fick det till 0.002ohm på aldelens egen hand
(t/5)*C=R woho!

sodjan:
Det används för att koppla signaler kapacitivt mellan två stora ytor. Den ena stora ytan (den som driver) har nära till jord, vilket ger stor kapacitans. Tyvärr får jag inte lämna närmare detaljer om vad jag gör.

$tiff:
Jag ska titta/ testa med gate-drivers

grym:
Har du något förslag på en transistor som (i alla fall är i närheten) klarar detta? Jag antar att man måste ha mer än 5v Vgs för att driva en stor trissa till lågt Ron. Kan man i så fall kanske ha bipolärt som drivsteg och sedan FET som utgångssteg med 5v rail-matning? Hmm...

Gate drivers har utgångsresistans på ett flertal ohm.

Det blir nog, som nämnts, en diskret lösning. Några pararellkopplade sådana här kanske http://www.irf.com/product-info/datashe ... 04s-7p.pdf

Jag tror nog också på en diskret lösning

Har tittat på denna: Farnell 3345-336, http://www.farnell.com/datasheets/13619.pdf
Ska ha en N-kanal också, men på nervägen är kraven mer moderata. Typ 5uS
Tänker försöka få ned stigtidskravet till 1uS också (eller iaf i närheten)

Vad tror ni?

Med rätt drivning av gaten kan du använda en N-kanal för att lyfta också. N-kanal brukar finnas med lägre rds_on.