Svenska ElektronikForumet

Jag vill jämföra ett antal transistorer, både bipolära transistorer och MOSFETs, över hur lågt v_CE man kan komma undan med utan att förlora allt förmycket förstärkning. För bipolära transistorer pratar man om active region och light saturation.

Därav undrar jag om det finns några vanliga parametrar i tillverkarnas datablad där jag kan se gränsen mellan light saturation och deep saturation samt motsvarande high gain region för MOSFETs?

Worst-case siffra på ß_DC vs v_CE hade såklart också gott bra men något sådant kan jag inte minnas att jag sett.

Tog och simulerade i Ltspice med tre olika NPN och tre olika PNP. Vad jag kan se verkar det inte vara någon större skillnad mellan olika typer av bipolära transistorer. Strömförstärkningen enligt SPICE-modellerna håller sig bra ända ner till 0.3 V mellan kollektor och emitter.

(I skolan fick man ju lära sig att bas-kollektor ska vara backspänd, dvs inte leda, för att hålla sig i aktiva/linjära området. Här ser vi däremot att framspänd ända upp till ~0.4 V verkar gå bra.)