Svenska ElektronikForumet

Att, som rehnmaak säger, Q5 & Q6 sitter fel är ju rätt. Sen är jag tveksam till drivningen även om de satt rätt, GATE-spänningen kommer ner på 0,7V och det är frågan för om den verkligen stängs av ordentligt då. Kan kollas i databladet förvisso, hinner bara inte hitta det.

Sen är jag osäker på att drivsignalen är bra. Vad som kommer ut från PIC'en vet jag inte men det MÅSTE ju vara en inte-överlappande pulståg. Alltså, den ena sidan slår på (kort paus) slår av (kort paus) andra sidan på (kort paus) slår av (kort paus) och börja om från början, annars kommer drivtransistorerna att "slå på" varandra.

Sen får Uin inte överstiga deras spänningstålighet/2!

Icecap > Om du tittar noga ser du att flinta kör med negativ matning till pnp:erna och pic:en är jordad på -12V:en.

Gaten till mosfetarna kommer således att vara backspännda under "off".

En förvisso intressant lösning att minusjorda picen men svår att underhålla samt diverse andra problem om man ska interfaca mot annan elektronik. Jag skulle använda någon form av isolationskrets (opto tex) för att skilja logik och kraftdelen.

> ...jag ska till fjällen över nyår o sen ska rapporten vara klara inom nån vecka....

Få se, var det inte ett X-jobb ?
Brukar man inte ha *lite* mer än en eller ett par veckor på sig ?

Hur som helst...

Det framgår inte vilka värden R5/R6 har, men de kommer ju
i alla fall att begränsa strömmen in på gate'en (vid omslag).
Med en gate kapacitans på nästan 1 nF (960 pF), gäller at det att
få in en ordentlig "strömstöt" för att få en snabb switching.

I databladet ("Test Conditions") använder de en gatedrivning på
10V och en extern gate resistans på 1 ohm, man skulle alltså,
så vitt jag förstår, kunna få en strömstöt på upp till 10 A på gaten.

Om den visade kopplingen ligger avsevärt under denna gatedrivförmåga,
kommer effektförlusten att öka p.g.a för långsam switching.

Det är väll av denna anledning som det finns speciella "MOSFET driver" ICs...