Sida 2 av 2

Postat: 6 oktober 2005, 06:11:54
av pagge
danei skrev:En öppen FET ska inte ha ett spännngsfall över sig. Det är bara en ren resistans. Den är dessutom mycket låg på de lite kraftigare transistorerna.
Endast halva sanningen :)
Transistorn uppför sig som en låg resistans endast om Vgs-Vtr >> Vds.
Annars om Vgs-Vtr < Vds så fungerar FETen som en strömkälla precis som en BJT.

Bild
Plot över Ids mot Vds vid olika Vgs.

Till vänster är Vgs "Stor", transistorn samma i-v graf som ett motstånd (mer eller mindre rakt linje igenom origo). Detta är fallet då man använder feten som switch. Man kan se det som att man har ett (lågohmigt) motstånd (Rs-on) mellan drain och source. Detta illustrerar varför man skall ha högt Vgs, då blir linjen brantare dvs. motståndet blir lägre (mer ström för samma spänning).

Däremot är det ofta KSO (KonstrantStrömsOmrådet) till höger som används när man har den som linjär förstärkare. Då gäller samma kopplingar som för BJT, GE GC m.m. med den skilnaden att Vf inte är 0.7 utan lite drygt Vtr.

Postat: 6 oktober 2005, 11:21:21
av danei
Med öppen syftade jag på bottnad.

Postat: 6 oktober 2005, 12:06:20
av pagge
Misstänkte det, men jag hade så tråkigt inatt att jag var tvungen att fylla i ändå 8)

Postat: 6 oktober 2005, 14:40:17
av danei
Fortsätt med det. Det fyller på bra.