Sida 2 av 2
Re: Kylning FET m hög ström
Postat: 26 november 2012, 21:17:20
av jesse
Flera parallella är väl en utmärkt idé. Att försöka pressa in all värmeutveckling i en enda liten punkt är enbart onödigt.
Dessutom - eftersom man räknar strömmen i kvadrat så alstras bara en fjärdedel så mycket värme per transistor i två transistorer än i en enda. Win-Win.
Re: Kylning FET m hög ström
Postat: 27 november 2012, 12:57:05
av gkar
Flera är alltid bra, men välj något med lite lägre resistans. Tex:
http://se.farnell.com/nxp/psmnr90-30bl/ ... dp/2114716
Re: Kylning FET m hög ström
Postat: 28 november 2012, 15:33:48
av rolex42
OK, mycket bra input här ...
1 st PSMNR90-30BL (40A)
P=1,6W
Som tillbehör visar Farnell
heatsink m 22.8°C/W
temp.höjn=1,6*(22,8+0,5+0,5)=38C.
Nu börjar det bli bra men jag är lite osäker på termisk resistans mellan FET & heatsink. Databladet var inte solklart men det ser ut som man löder FET på PCB och ser till att kopparytan är så stor att man sedan kan löda heasink på samma kopparyta ...
Det blir kanske inte term resistans = 0,5 ?
Med 2 st PSMNR90-30BL
P=0,4W
temp.höjn=0,4*(22,8+0,5+0,5)=9,5C. (el m jesses Win-Win-formel: 38/4=9,5 )
Re: Kylning FET m hög ström
Postat: 28 november 2012, 20:25:23
av jesse
Hmm... total power dissipation = 308W... Du ska leda bort 1.6 watt... Någonting känns lite ... oproportionerligt. Med den effekten behövs ingen heatsink alls. Det räcker med att transistorns ovansida har kontakt med luften.
Rth(j-a) = 50 grader C / watt, är utan extra kylning, "minimum footprint; mounted on a printed-circuit board". 1.6 * 50 = 80 grader ökning. Transistorn tål 175 grader celcius, så du kan köra den i en omgivningstemperatur över 90 grader utan extra kylning (gäller då VGS > 10V. Annars , vid 4.5V multiplicera med 1.3)
EDIT:
Men hur fick du fram 1.6W? Ron fördubblas nästan när transistorn börjar bli varm. Jag brukar multiplicera Ron med 2 för att vara på rätt sida. Kurvan går ju till omkring 1.9 gånger Ron vid 175 grader. Om jag räknar på 40A så får jag då:
40A^2 * 2mohm = 3.2W. ==> 160 grader temperaturhöjning. Det funkar inte. Då behöver du kopparplan på ca 4 cm2 eller mer för att få tillräcklig kyleffekt (om jag räknat ungefär rätt). Troligtvis krävs fortfarande ingen extra heatsink om man bara har stor kopparyta på kretskortet.
Re: Kylning FET m hög ström
Postat: 29 november 2012, 11:29:07
av gkar
Ett tips. Dimmensionera inte för Tj på 175C. Gör det för 125C för att få lite livslängd på dem.
Re: Kylning FET m hög ström
Postat: 30 november 2012, 11:13:56
av rolex42
Har nu försökt få till en enkelt kretskort m Eagle och börjar bli frustrerad ...
Download nxp_60.lbr fr
Eagle lib
PSMNR90-30BL datablad: "Plastic single-ended surface-mounted package (D2PAK); 3 leads (one lead cropped) SOT404"
Hittade BUK761R3-30E som ersättare för PSMNR90-30BL.
SOT404_small.png
Det enkla schemat
SOT404_sch.png
Kastar ut komp på PCB.
Auto-route & sedan manuell route av Drain.
SOT404_DRC.png
Min tanke var att göra en kopparyta för kylning och ev lödning av kylfläns så jag lade en polygon och satte samma namn som mounting base (DRAIN).
SOT404_Polygon.png
SOT404_Polygon_Ratsnest.png
men även nu får jag samma Drc Error.
Re: Kylning FET m hög ström
Postat: 4 december 2012, 16:36:10
av rolex42
Gjorde ett första försök med DipTrace (mha
Lizerd)
Tog flera olika FETar så att man skulle kunna välja vilken/vilka man vill ha (4 st TO-220, 2 st SOT404, 2 st TO263-7).
Placerade dem för att fördela värmen. Några surface solder pads för att förbinda med grov kabel mellan FETs.
SOT404_TO263_heatPad.png
De stora lödhålen har 5mm hål avsedda för kabel som leder 40A. Som synes går det översta t Drain. Under de 4 ytmonterade FETarna en stor Pad för fastlödning av kylfläns. Jag tror att den ytan skull behöva göras lite större.
(Övriga komponenter på kortet är ett lågspänningsskydd med tidsfördröjning).