Sida 2 av 2

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 22 augusti 2010, 23:35:36
av jesse
JO, det är klart, om spänningen Vin - GND är större än maximalt tillåtna Vgs så funkar ju inte ritningen ovan. Det du då måste göra är att skapa en annan spänningsnivå som är mer "lagom" för gaten, t.ex. 12 volt under Vin. som du använder som "GND" för den nedre transistorn. Det går att göra med en negativ spänningsregulator på t.ex -12 volt. (fast nu är det väl svårt att hitta regulatorer som tål 55 volt också :roll: ) Du kan också göra en spänningsdelare med zenerdiod (12 volt) och ett motstånd som skapar rätt nivå. Detta måste då stabiliseras med en rejäl kondensator så att det finns gott om energi lagrat för att ladda gaten när den nedre transistorn sluter. En annan variant är att skaffa en High-side MOSFET-driver. Den skapar en sådan spänning som används till att styra gaten med. Problemet med en sådan är att den använder en kondensator och en diod och kräver att det är en viss frekvens på signalen för att det ska fungera. Men om du ska köra PWM så ska det fungera, bara du inte har 0% eller 100% duty cycle.

En variant som jag själv använt med framgång för "high side" är att jag har 12 volt matning på styrkretsen och transistorerna i förhållande till GND. Men man ansluter gaten på MOSFETen via en kondensator - den isolerar från DC och spänninsskillanden kan alltså vara stor. För att få rätt spänningsnivå behövs en diod mellan gate och source - gärna en zenerdiod - parallellt med ett motstånd på kanske 10-100k. beroende på vilket håll du vänder dioden kommer din spänning på gaten i förhållande till Vin bli antingen positiv eller negativ. Har du en P-kanal ska du ha negativ spänning, men du kan alltså lika väl använda en N-kanals MOSFET (de är ofta billigare) om du vänder dioden.

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 22 augusti 2010, 23:38:41
av Norpan
Det är ju så infernaliskt jobbigt med P-fet, måste tänka baklänges hela tiden, hade varit mycket bättre om de aldrig uppfunnits. :wink:

Styrpänningen efter buffertransistorerna kommer att hamna på ungefär samma spänning som före.
R1 och R2 delar drivspänningen till ett lämpligt värde när Qinv är till.
Så om de är på t.ex. 1k stycket så kommer gatespänningen att bli runt halva drivspänningen, plusminus lite basemitterspänningsfall och annat.
Alltså runt -15Vgs i ditt fall.

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 22 augusti 2010, 23:43:33
av jesse
visst ja, såg inte spännignsdelaren R1/R2... men då funkar det ju utmärkt som det är (och mycket smartare än min idé med spänningsregulator :oops: )

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 23 augusti 2010, 00:10:19
av Korken
Ahhaaaaaaaaaa! :idea:
Nu fattar jag hur det fungerar! Skulle nästan kunna pussa er alla! :D
Tack så grymt mycket! Jag har förr funderat på detta, men aldrig riktigt förstått det... Men äntligen!

Dock detta betyder att jag behöver kasta mitt gamla å köpa nytt kretskort... Tur att kineserna är billiga! :)

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 23 augusti 2010, 04:10:35
av 4kTRB
Jag blev lite nyfiken på hur man kan få till en bra drivning då jag just nu håller
på med en enkel switchare som i och för sig ska drivas med vanliga bjt och utan
att jag har problem med stigtider och för slöa flanker.

Så jag kom att tänka på en switchar iC, en 3525, tror jag den heter, och den har
komplementära trissor på utgångarna.

Så jag hittade en krets i en Motorola application note med två transistorer som
jobbar som emitterföljare och drivs av TTL-logik som ju har snabba flanker mellan
logiknivåerna.

När V2 går hög leder Q2 och gate kopplas till jord och lasten får ström.
När V2 går låg kopplas gate till V1 vilket stryper MOS-transistorn.

Enkel och effektiv koppling och dessutom väldigt snabb!

Bild

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 23 augusti 2010, 06:37:59
av Icecap
Och det schema är identisk med det förra som Norpan lade in förutom komponentvärden där jag tycker att Ra & Rb är lite för höga.

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 23 augusti 2010, 07:59:21
av 4kTRB
Det är bara att justera tills man är nöjd.
Finns säkert bättre val av tranistorer också.

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 23 augusti 2010, 08:18:08
av Norpan
Ett motstånd till gaten är lämpligt åxå, för att begränsa strömmen och minska risken för oscillationer.

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 23 augusti 2010, 13:07:37
av blueint
Kanske man kan (miss)bruka en MC1488 TTL till RS232 drivare för MOSFET styrning?

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 23 augusti 2010, 13:20:16
av jesse
Tja, den ska ju ha max +15 volt på V+ så det är väl lite lågt för att vara en "high side" driver. Den skickar dessutom ut V+ till de logiska ingångarna via ett motstånd...

Re: Minska stigtiden för MOSFET

Postat: 24 augusti 2010, 01:10:25
av 4kTRB
Figur 2 och 3 sidan 2 http://www.vishay.com/docs/70611/70611.pdf
beskriver drivare avsedda för TTL. Sedan finns beskrivet "floating-gate driver"
samt en totempåle-driver.