Svenska ElektronikForumet

psynoise skrev:Är ingen expert själv men du vill ha ett lågt tröskelvärde på FET-transistorn för att den ska kunna bottna för 5 V på gaten.

http://en.wikipedia.org/wiki/Field-effect_transistor
Läs under rubriken "FET operation".

har nu läst lite och har nu bilvigt lite förvirrad. Då jag läste i en elektronik bok här och där står det att FET även kallas för JFET. Är det en sådan du menar eller en MOS som också heter MOSFET?

Jag vågar nästan påstå att dom olika typerna beter sig snarlikt. MOSFET har högre impedans på gate:n, dock en kapacitans också, vilket gör att impedansen sjukner vid högre frekvenser. MOSFET brukar nog i regel har lägre tröskelspänning än JFET så satsa på en sådan.

hmm okej. Så skulle någon av dom här vara något att ha?
http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... 011379.PDF
http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... Xtwqrx.pdf

BS170 har en tröskelspänning på 0.8 V till 3 V, men den klarar bara av 500 mA i drain-source kanalen.

IRF630 har en tröskelspänning på 2 V till 4 V vilket är nog alldeles för högt. I värsta fall får du driva den med en annan transistor innan.

Jag har inte konstruerat något switchande själv men jag har för mig att man brukar använda en spänning upp mot 12 V för gate, då en FET-transistor har minst förluster vid så höga gate-spänningar.

Att priotera är låg tröskelspänning Vgs för att du ska klara dig med 5 V från µC. Något som man kanske skulle kolla upp om man hittar en FET-transistor med låg tröskelspänning är att µC håller sin 0:a med tillräkligt låg spänning.

Regel nr 1 när man ska göra ett µC project, kolla application notes

AVR® 8-Bit RISC - Applications - Motor Control

hmm dom flesta MOSFET verkar ligga mellan 2-4V om dom ska klara lite större strömmar. Iallfal dom jag har kollat på så måste jag då köra med två st?

Mm, du får sätta en bipolartransistor före. Använd ett steg med hög spänningsförstärkning, kommer inte själv inte på något bra i skrivande stund. Men som sagt innan kolla "application notes", lär ju finnas schema i någon iaf.

En som borde fungera är tex, STP40NF03L http://www1.elfa.se/elfa~se_sv/go.jsp?s ... =71-127-33

Databladet: STP40NF03L specifierar:
VGS(th) Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 µA, Min=1.0 Typ=1.7 Max=2.5 V

En max tröskel Vgs(th) på 2,5V borde en MCU kunna fixa

Med CMOS variant kanske man t.om klarar 3,3V matningsspänning.
För t.ex databladet PIC16F84A specifieras på sid 56 (tabell 9.2):
Voh minimum = Vdd-0.7