Re: Anders lagar en gammal dator (-relaterad pryl)
Postat: 5 september 2026, 17:26:32
Kunde inte låta bli att ge ditt schema, och ett datablad på transistorn (förmodligen hade han hittat det själv)
till Claude och fråga: "spänningen L-N är 230Volt, Transistorn q1 brinner upp, vad kan det bero på om övriga komponenter ger rimliga värden med resistansmätning?"
Jag skulle nog givit honom hela EF tråden, min fråga var lite kort så det är väl bara 1 och 2 som är av intresse.
till Claude och fråga: "spänningen L-N är 230Volt, Transistorn q1 brinner upp, vad kan det bero på om övriga komponenter ger rimliga värden med resistansmätning?"
Jag skulle nog givit honom hela EF tråden, min fråga var lite kort så det är väl bara 1 och 2 som är av intresse.
Claude skrev: Bra fråga – och lite lurig eftersom "alla andra komponenter mäter rimligt" med ohmmeter faktiskt inte utesluter de vanligaste bovarna. Ohmmetern testar med några få volt, medan kretsen i drift utsätts för hela nätspänningen (230 V, toppvärde ~325 V) och eventuella transienter. Ett par saker att titta extra på:
**1. Triac D4 (SC260M) – vanligaste boven**
En triac kan få en skadad kristall (t.ex. efter en spänningstopp eller överström) som gör att den läcker, självtänder eller har försämrad dV/dt-tålighet – utan att det syns som kortslutning eller avbrott på en kall resistansmätning. Om triacen inte kommuterar (slocknar) korrekt vid nolgenomgången, eller självtänder felaktigt, kan ström/spänning slå bakåt genom gate-kretsen (R2) rakt in i Q1:s emitter/bas och förstöra den.
**2. Q1 har mycket knapp spänningsmarginal**
Titta på datasheet-värdena för MPS6531:
- V(CEO) = 40 V
- V(CBO) = 60 V
- V(EBO) = 5,0 V
Det är låga gränser för en transistor som sitter så nära ett triac-gate som är kopplat mot A1/nätsidan. Om noden vid R2/gate (som i praktiken följer linjepotentialen via triacens A1) får en transient som överstiger 40 V (Q1:s kollektor ligger ju fast på de 13 V DC, så hela mellanskillnaden hamnar över Q1) räcker det för att slå sönder transistorn, särskilt E-B-övergången (bara 5 V tålighet!) om gate-noden svänger negativt.
**3. Snubbern R45/CT kan vara fel dimensionerad eller försämrad i värde**
En kondensator som mäter "rimligt" med ohmmeter (dvs. inte kortsluten) kan ändå ha fel kapacitansvärde eller ökat ESR, vilket gör att den inte dämpar dV/dt tillräckligt vid triacens avstängning – särskilt om lasten är induktiv (motor, solenoid, relä). Det ger spänningsspikar som fortplantar sig in i gate-kretsen.
**4. Induktiv last**
Om "LOAD" är en motor, magnetventil, relä eller liknande, genererar den en backspänning/spik varje gång triacen slocknar. Utan ordentlig klämning kan den spiken ta samma väg in mot Q1.
**5. Överström vid tändning (di/dt) eller för hög gate-ström**
R2 (47 R/1 W) begränsar strömmen från Q1 till gate, men om triacens gate-krets har lägre impedans än förväntat (t.ex. delvis skadad triac) ökar strömmen genom Q1 och den kan överhettas trots att den statiskt mäter rätt.
**Rekommenderad felsökning**
- Byt triac D4 även om den mäter "ok" – misstänkt komponent nummer ett.
- Kontrollera vad LOAD faktiskt är (resistiv/induktiv) – avgör om bättre snubber/varistor behövs.
- Mät faktiskt CT:s kapacitansvärde (inte bara att den inte är kortsluten).
- Överväg att lägga till en MOV/varistor över L-N eller A1-A2 som transientskydd om ingen finns.
- Om Q1 fortsätter dö trots ovanstående: byt till en transistor med högre V(CEO)/V(CBO)-marginal (t.ex. 60–80 V typ) som säkerhetsmarginal, eftersom 40 V är i underkant för denna typ av triac-drivsteg.
Vill du att jag ritar upp en uppdaterad variant av kretsen med förslag på skyddskomponenter (t.ex. transientskydd vid gate/Q1)?