Förhållandet e/k för en diod på basis av ln(I)/U ?

[Jön]

Hej!

Håller på med en fysiklabrapport där förhållandet mellan elementärladdningen och Bolzmannz konstant(ca 11000) skall lösas med hjälp av infon man får från att ha mätt strömmen som funktion av spänningen över dioden. Om man logaritmerar strömmen får man ju en rak linje varifrån man får ut riktningskoefficienten(ca 36).

Nån idé på hur man går vidare?

[kimmen]

Tag en titt på diodekvationen.

[Jön]

Har nog gjort det men tror inte den gäller för schottkydioder...? men tack skall försöka vidare..

[4kTRB]

Enligt den här sidan så ska det inte vara någon stor skillnad i U/I-karaktären
gentemot en vanlig diod.
http://www.electronics-radio.com/articl ... -diode.php

• The overall I-V characteristic is shown below. It can be seen that the Schottky diode has the typical forward semiconductor diode characteristic, but with a much lower turn on voltage. At high current levels it levels off and is limited by the series resistance or the maximum level of current injection. In the reverse direction breakdown occurs above a certain level. The mechanism is similar to the impact ionisation breakdown in a PN junction.
  
  
  --------------------------------------------------------------------------------

I min bok Microelectronic Circuit av Cedra och Smith så ger de en tabell med data för övningsuppgifterna
i slutet av kapitlet som kanske kan vara till hjälp, jag vet inte.

Typical Parameter Values for GaAs MESFET and Schottky Diodes
IN L = 1um Technology,
Normalized for W = 1um

• Vt = -1.0V
  beta = 10^-4 A/V/V
  lambda = 0.1V^-1
  Is = 10^-15 A
  n = 1.1