Om jag vill konstruera en gemensam emitter-förstärkare med en BF199,
datablad --- https://www.alldatasheet.com/datasheet- ... BF199.html
med 50 ohm in och 50 ohm vid 100MHz så hittar jag följande data.... Vce = 10V, Ic = 5mA
b11e = 20mS
b21e = -50mS
b22e = 1000uS
g11e = 7mS
g21e = 160mS (gäller för 0.47MHz till 45MHz)
g22e = 110uS
Sedan finns denna utförliga pdf om transistorparametrar --- https://www.nxp.com/docs/en/application-note/AN215A.pdf
Men efter att ha läst igenom den (inte jättenoga) så får jag en känsla av att ovanstående data
inte räcker för att konstruera anpassningsnät till in och utgång så det hela blir bra vid 100MHz.
Har jag fel?
Baserat på ovanstående parametrar vid 100MHz finns det en chans att konstruera dessa nät?
Transistorparametrar ?
-
alexanderson
- Inlägg: 830
- Blev medlem: 18 januari 2017, 14:59:43
Re: Transistorparametrar ?
Det finns ett examensarbete LTH 2003 hur man bygger en 100 MHz förstärkare med BFR 92A.
Läs igen den.
Läs igen den.
Re: Transistorparametrar ?
Jo om man har de data som behövs så kan man ju följa nxp:s app. note. Många hf-transistorer har bra datablad På något vis måste gå konstruera med BF199 runt 100MHz med de data som ges men inte mha nxp:s app. Note. Jag får studera problemet mer i detalj.
Re: Transistorparametrar ?
För min del är det ganska ofta data fattas eller att tillverkaren anger ett alldeles för stort intervall vilket verkar vara typiskt hos transistorer. Då får jag helt enkelt uppskatta egna parametrar antingen genom att titta på liknande komponenter eller göra egna mätningar. Sedan lägger jag på stor marginal för att täcka spridningen.
Re: Transistorparametrar ?
Är det denna projektrapport du tänker på?alexanderson skrev:Det finns ett examensarbete LTH 2003 hur man bygger en 100 MHz förstärkare med BFR 92A.
Läs igen den.
https://www.eit.lth.se/fileadmin/eit/co ... antamp.pdf
RFC antar jag är en "RF choke" som bara släpper igenom låga frekvenser.
Re: Transistorparametrar ?
Ofta jobbar man på S-parameter nivå i en RF-nätverksimulator ('vipec' fungerar för det - svår att hitta idag dock men är gratis och jag har använt mig av den sedan början av 2000-talet för enklare övningar)
S-parametrarna mäter man antingen upp själv med en nätverksanalysator liknande hp-8751 eller idag mycket billigare versioner som kan producera S-parameter data av sina mätningar.
Finns folk som också har gjort S-parameter-lista baserad på Spice-simuleringar av tex. sagda BF199 från spicemodeller av tillverkarna själva - och tror att det är fullt möjligt att få fram det i tex. 'microcap' med lite jobb (främst att få ut datat i rätt format så att det stämmer med 'common' S-parameter format)
Problemet med sådana mätningar är att om man ändrar strömmen genom trissorna eller annan påverkan så måste man göra nya S-parameter listor och den jag hittat gäller för 7 mA:
Fil som radioamatör har skapat från en spicemodell av BF199 - dessvärre ingen beskrivning exakt hur kopplingen såg ut under simuleringen.
Sedan vid design kan man aldrig gå på vad databladen säger gäller, utan ser det mer som en rekommendation och första grov insampling av transistorns egenskaper - det är alltid en praktisk interaktion med egna mätningar med bl.a nätverksanalaysatorer och en del kan simuleras i simulator med LC-parallell kretsar [1] och med resistans före och efter det man mäter på, men man kommer ändå till att man måste bygga den verkligt fysiskt och också och minimera felkällorna så mycket som möjlig då allt räknas, benlängder, ledare till och ifrån (bör göras som microtrip med jordplan där man har koll på impedanser - bara för att det är 100 MHz innebär inte att man kan ignorera sådant, även på sådana frekvenser räknas kröken på benet av den ytmonterade benet och plasten som ökar dieletriska konstanten runt om benet 1 mm längre in på kapslingen, bondtrådens minskade diameter och hur mycket ögla den gör innan det når chipet [2] - och kör på ytmonterat med minimala ben-längder så mycket det går.
Därför går det inte att räkna teoretisk på allt av just anledningen att modellerna är för grova och ofullständiga och man måste köra med praktiska prov för att verifiera mot simuleringarna och korrigera olika faktorer. - en del mer avancerade Spice-modeller så är beskrivningen av benets impedanser en del av modellen och därför kan finna 8-olika Spicemodeller av samma krets av anledningen att de finns i olika kapslingar och benkonfiguration, bondningstrådar inne i kapseln etc. som var och en ger lite skillnad i egenskaper på främst höga frekvenser och där matchningen av impedanser är viktigt. - men tro mig man kan åka på snytingar även på 100 MHz och där hjärnan säger 'det borde inte påverka då våglängden ändå är 3 meter och ändå blev det krokigt i frekvenssvepet för att jag flyttade lödningen på komponenten 2 mm åt sidan på microstripen'
Slutligen detta är inget man lär sig på en kafferast utan är något man bör arbete med i antal år på en utvecklingsavdelning på ett företag med kunnigare kollegor att fråga både i avseende metodik, tänkande och tillgång till utrustning.
Visst man kan pyssla med hemma men då tar det 10 ggr tiden och kräver rejält med pannben (aka envishet till nivå ren tjurskallighet) eller för att man helt enkelt tycket det är intressant problemlösning och får tar den tiden det tar.
[1]
LC-kretsen vid sin parallell resonans har mycket hög impedans för att gemon justera resonansen kunna trimma hur mycket reaktiv kapacitiv eller induktiv reaktans man skall ge till kretsen och med separat motstånd justera reella delen för att det skall fungera bra - vilket bla. gäller för inkoppling mot kristallfilter som kräver komplex impedans i sin terminering för att se bra ut i överförings-egenskaper)
[2]
Gissa hur mycket man svurit över den 3 mm långa benet i luften från kretskortet till metallkapseln för komponenten, glasförsegligen i kapseln som benet går igenom, bondtråden med mindre diameter från benet innan den når ytan av laserdioden med impedans av 4 Ohm - när man skall göra en optosändare som går från 10 MHz till 3 GHz - helst hyffsat frekvenslinjärt - de som gör opto tänker inte alls lika i kapslingsväg som de som gör RF-trissor med flata strip ut istället för runda ben för att just hantera mycket höga frekvenser och/eller stor bandbredd
S-parametrarna mäter man antingen upp själv med en nätverksanalysator liknande hp-8751 eller idag mycket billigare versioner som kan producera S-parameter data av sina mätningar.
Finns folk som också har gjort S-parameter-lista baserad på Spice-simuleringar av tex. sagda BF199 från spicemodeller av tillverkarna själva - och tror att det är fullt möjligt att få fram det i tex. 'microcap' med lite jobb (främst att få ut datat i rätt format så att det stämmer med 'common' S-parameter format)
Problemet med sådana mätningar är att om man ändrar strömmen genom trissorna eller annan påverkan så måste man göra nya S-parameter listor och den jag hittat gäller för 7 mA:
Fil som radioamatör har skapat från en spicemodell av BF199 - dessvärre ingen beskrivning exakt hur kopplingen såg ut under simuleringen.
Sedan vid design kan man aldrig gå på vad databladen säger gäller, utan ser det mer som en rekommendation och första grov insampling av transistorns egenskaper - det är alltid en praktisk interaktion med egna mätningar med bl.a nätverksanalaysatorer och en del kan simuleras i simulator med LC-parallell kretsar [1] och med resistans före och efter det man mäter på, men man kommer ändå till att man måste bygga den verkligt fysiskt och också och minimera felkällorna så mycket som möjlig då allt räknas, benlängder, ledare till och ifrån (bör göras som microtrip med jordplan där man har koll på impedanser - bara för att det är 100 MHz innebär inte att man kan ignorera sådant, även på sådana frekvenser räknas kröken på benet av den ytmonterade benet och plasten som ökar dieletriska konstanten runt om benet 1 mm längre in på kapslingen, bondtrådens minskade diameter och hur mycket ögla den gör innan det når chipet [2] - och kör på ytmonterat med minimala ben-längder så mycket det går.
Därför går det inte att räkna teoretisk på allt av just anledningen att modellerna är för grova och ofullständiga och man måste köra med praktiska prov för att verifiera mot simuleringarna och korrigera olika faktorer. - en del mer avancerade Spice-modeller så är beskrivningen av benets impedanser en del av modellen och därför kan finna 8-olika Spicemodeller av samma krets av anledningen att de finns i olika kapslingar och benkonfiguration, bondningstrådar inne i kapseln etc. som var och en ger lite skillnad i egenskaper på främst höga frekvenser och där matchningen av impedanser är viktigt. - men tro mig man kan åka på snytingar även på 100 MHz och där hjärnan säger 'det borde inte påverka då våglängden ändå är 3 meter och ändå blev det krokigt i frekvenssvepet för att jag flyttade lödningen på komponenten 2 mm åt sidan på microstripen'
Slutligen detta är inget man lär sig på en kafferast utan är något man bör arbete med i antal år på en utvecklingsavdelning på ett företag med kunnigare kollegor att fråga både i avseende metodik, tänkande och tillgång till utrustning.
Visst man kan pyssla med hemma men då tar det 10 ggr tiden och kräver rejält med pannben (aka envishet till nivå ren tjurskallighet) eller för att man helt enkelt tycket det är intressant problemlösning och får tar den tiden det tar.
[1]
LC-kretsen vid sin parallell resonans har mycket hög impedans för att gemon justera resonansen kunna trimma hur mycket reaktiv kapacitiv eller induktiv reaktans man skall ge till kretsen och med separat motstånd justera reella delen för att det skall fungera bra - vilket bla. gäller för inkoppling mot kristallfilter som kräver komplex impedans i sin terminering för att se bra ut i överförings-egenskaper)
[2]
Gissa hur mycket man svurit över den 3 mm långa benet i luften från kretskortet till metallkapseln för komponenten, glasförsegligen i kapseln som benet går igenom, bondtråden med mindre diameter från benet innan den når ytan av laserdioden med impedans av 4 Ohm - när man skall göra en optosändare som går från 10 MHz till 3 GHz - helst hyffsat frekvenslinjärt - de som gör opto tänker inte alls lika i kapslingsväg som de som gör RF-trissor med flata strip ut istället för runda ben för att just hantera mycket höga frekvenser och/eller stor bandbredd
Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.
Re: Transistorparametrar ?
Letade efter uppmätta parametrar och här finns en ganska bra samling http://df4ae.darc.de/s-par.html
