Läs/skriv för ofta till DDR minne = minnet går sönder..!?

[blueint]

I databladet för "DDR2 SDRAM Device Operating & Timing Diagram" sidan 16:
www.samsung.com/../2009/10/27/111001ddr2_device_operation_timing_diagram_may_07.pdf

"Any system or application incorporating random access memory products should be properly designed, tested and qualified to ensure proper use or access of such memory products. Disproportionate, excessive and/or repeated access to a particular address or addresses may result in reduction of product life"

Att DRAM skulle knäckas av upprepade accesser som inte överhettar verkar helt mysko..

[Klas-Kenny]

Låter inte omöjligt, man pratar ju om att SSD'er har en livslängd på ett visst antal skrivningar..

[blueint]

SSD består ju av flashminne med känd gräns runt 100 000 - 1000 000 skrivningar. Men detta är ju RAM minne. an fick sig en funderare.

Blev varse en viss tRRD parameter tidigare. Som innebär att man inte får aktivera mer X antal rader inom N antal sekunder (4 st / 30 ns för DDR3 vill jag minnas).

Måste säga att SDRAM generellt har massa lustiga egenskaper..

[Henrik]

SSD är ju, eh, flashminne. DDR nåt helt annat.

Skulle jag byggt en egen SDRAM-controller hade jag tagit notis om den raden, handlar det om att konfigurera upp en befintlig så nej... Ett par "sanity checks" på timing-parametrarna ska räcka för att känna sig säker.

[blueint]

En viss likhet finns tydligen i att båda använder elektron laddning. För flashminne används en "grop" som stänger inne laddningen. Medans ett DRAM använder två plattor som formar en kondensator.

Så i båda fallen är det elektronladding. Men att en kondensator utan elektrolyt "slits" verkar knepigt.. iaf om man det är något annat än överhettning som avses. Men det måste man ta hänsyn till i princip alla processer..

[sodjan]

Nu är det ju så att denna typ av elektronik ligger "on the edge" när det gäller
förminskning, packning och effektutveckling. Just minnen är något som
pressas till max hela tiden. Inte helt underligt då att de inte designar minnet
med tanke på att samma cell/celler ska accessas hel tiden. Jag gissar att
men får lokala effektutvecklingar i chippet som ligger utanför gränserna.

[blueint]

Om det är frågan om att man bränner sönder enstaka ytor med överhettning så verkar det okej. Men om det rör sig om laddningsutmattning (jmfr flash) så verkar det knepigt. Med tanke på hur RAM minne faktiskt används.

[sodjan]

Jag *gissar* att det har med ytterst lokalt uppkomna överhettningar att göra...
Som sagt, DRAM ska ju inte ha något "slitage" för övrigt...

[thebolt]

Tyvärr är det så att DRAM (liksom alla andra halvledarbaserade kretsar) åldras, bl.a. på grund av "hot carrier injection" (HCI). Vid tillverkning dopar man kislet (eller vad man nu har för substrat) med ämnen så du får olika potential, och under användning förstärks/försvagas denna potentialskillnad och de potentialbarriärer som finns. Ibland händer det sig att en elektron (eller ett "hål") får tillräcklig energi för att övervinna sagda potentialbarriär och hoppa över och "fylla igen" dopningen, du har ett HCI-event.

Bla redan 1995 visade Huh, Yang, Shin och Sun ("Hot-Carrier-induced Circuit Degradation In Actual DRAM") att detta är ett verkligt problem. Artikeln finns på IEEE för de som har access, men i korthet kan man säga att det som hände var inte att DRAM-cellerna i sig påverkades utan att man fick mindre marginaler i de analoga delarna (sense-amplifiers etc). Med tanke på att saker blivit mindre (mindre "hopp" som behövs), går på lägre spänningar (mindre marginaler i avkänningslogik) etc sen dess så kan man ju misstänka detta är ett ännu större problem idag.

Att du skulle få "lokal överhettning" känns lite långsökt, däremot kan jag tänka mig att du får lokala laddningsansamlingar (CMOS är inte helt "minneslöst" och du har strökapacitanser här och var) och strömmar som ökar HCI och andra slitagefenomen.

[Nerre]

Det låter ju rimligt, mindre transistorer (=färre atomer) måste ju då innebära att dopningen lättare "åldras".

[Henrik]

Spännande ämne, helt klart. IC-design känns ibland för mig som svart magi, hade varit skitkul att få labba runt lite någon gång.

[blueint]

Tänkte labba lite med FPGA + DDR minne.

[sodjan]

Lustigt, men jag har just konstaterat att det är fel på minnena i den nya
"PC i dalar" som jag skaffade till grabben för ett par veckor sedan. Vi har
kämpat i någon vecka med installation av diverse saker men har haft
olika Windows krascher och program som inte vill installera eller starta.

Memtest86 visade att det var ett minnes fel vid ca 920 Mb (4 GB sats)
och bitfelen pekar på ett par bitar som är "stuck" inom en liten adress
area. Kingston ValueR DDR3 1333MHz 4GB CL9, KVR1333D3N9K2/4G.

Vi hade samma problem med förra "PC i delar", fast där var det :
Corsair TWIN2X 6400 DDR2, 4096MB CL5, men liknande/samma problem.

Min tolkning är att tillverkarna ligger på gränsen, de har ju skrämt
upp minnena i 1333 MHz och kretsarna är mycket mindre på dessa
2 GB moduler än de var på gamla 133 MHZ 4-8 MB moduler...

[TommyT]

Allt blir mindre, inte bara ram-stickorna. Kolla hur många transistorer det finns i en quadcore CPU eller dylikt idag och jämför med en pentium 1 eller 486:a...

[sodjan]

Visst är det så. CPU'er har dock sannolikt hårdare tester och selektering
innan leverans (och ett annat pris). Prispressen är också högre på
minnen med fler tillverkare som slåss om marknaden o.s.v...