Svenska ElektronikForumet

Om man läser i databladet till ex. BC546, står det att den klarar max 6V VEB, backspänning på basen, som limiting value, med öppen kollektor då.

Jag har byggt många astabila vippor med 12V matningsspänning, så som den jag visar simulerad i LT-spice. Då får transistor nästan -12V på basen, men det funkar ändå.
(En skillnad är att kollektorn inte är öppen. )
Hur förklarar man detta?

Har du mätt effektutvecklingen i E-B-sträckan under tiden VBE är negativ?

Funderar nu så här, efter en bunt glas vin, hur basen kan negativ spänning.

Jag lärde i sin tid att be fungerar som en typ zenerdiod med en spänning på ung. 6V.
Knäet var dock inte skarpt.

Men jag har alltid designat efter detta men aldrig testat.

Bäst är att mäta. Inte säkert simuleringen kan hantera reverserad bas-emitter-spänning.

Bipolära transistorer zenrar någonstans över V_EBO. I de fall jag inte kommit runt problemet har jag använt en diod eller resistor i serie för att begränsa strömmen.

Som 4kTRB är inne på kan man inte lite SPICE utan att djupdyka i transistor modellen. Skulle gissa på att många modeller saknar backspänd bas-emitter samt korrekt lägre förstärkning när man kör kollekter-emitter omvänt.

Förresten, nu när vi väl är på ämnet, har någon tips på hyfsat vanlig småsignals transistor som har större V_EBO, säg upp emot 15 V?

Nu har jag mätt i verkligheten, så som i schemat nedan.
LTspice visar inte rätt på den punkten.

Den beter sig som en zenerdiod, som tidigare nämnts i tråden.
BC546:
-8,2V vid 1uA

BC337-40:
-8,3V vid 1uA
-8,5V vid 10uA

Jag har sett schema på många brus-generatorer som använder en backspänd BE-övergång.

I databladet står det 6V som "Limiting value" för VEB0.
Undras vad "Limiting value" är ? För ex. ICm (200mA) eller Ptot (500mW) kan man ju förstå att transistorn kan gå sönder om man överskriver.
Men -6V och 10uA känns det inte som den skulle gå sönder av.

Hittade detta:

Yes, the B-E junction acts like a diode, so there is reverse leakage current. In fast switching circuits high negative voltage was applied through current limiting resistors to the base to suck charge out of the junction fast. If the applied negative voltage exceeded the B-E breakdown spec the junction would zener. Later it was proved that repeated reverse breakdown caused a beta degradation.


Här:
https://forum.allaboutcircuits.com/thre ... it.102106/

beta = hFE (!?)

Citerar "Microelectronic Circuits" av Sedra/Smith 3:dje upplagan kapitel 3.11" The pn junction in the breakdown region"

"As mentioned before, pn junction breakdown is not a destructive process, provided that the maximum specified power dissipation is not exceeded.
This maximum power dissipating rating, in turn, implies a maximum value for the reverse current."

Då skulle max backström genom basen bli:
500mW / 8,2V = 61mA

Enligt databladet är max toppström 200mA genom basen, den normala strömriktningen.

Later it was proved that repeated reverse breakdown caused a beta degradation.

Intressant. Säg gärna till om ni sätt samma påstående i någon bok eller artikel. (Just analogkonstruktion tycker jag mycket handlar om att uppskatta toleranser (WCA).)

psynoise skrev: ↑24 mars 2024, 08:30:05 Förresten, nu när vi väl är på ämnet, har någon tips på hyfsat vanlig småsignals transistor som har större V_EBO, säg upp emot 15 V?

BC517 har 10V enligt databladet.