Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Läste VISHAY:s appliktions-not om MOSFET-parametrar och
en enkel brygga kan räcka för att ta reda på ingångskapacitansen.
Nu har jag inte testat i praktiken men en vanlig multimeter med
kapacitansmätfunktion kanske också fungerar?
Man får i vilket fall se till att ha den där dc-blockerande kondensatorn
på ingången och sedan beräkna med formeln.
I databladet står att läsa att IRF530 Ciss ligger runt 670pF typ med Vds=25V.
Om det stämmer nedan så håller modellen ett lite lägre värde.
Ciss är bra att veta om man tänker använda trissan vid lite högre frekvenser
och ska anpassa till en transformator till exempel.
en enkel brygga kan räcka för att ta reda på ingångskapacitansen.
Nu har jag inte testat i praktiken men en vanlig multimeter med
kapacitansmätfunktion kanske också fungerar?
Man får i vilket fall se till att ha den där dc-blockerande kondensatorn
på ingången och sedan beräkna med formeln.
I databladet står att läsa att IRF530 Ciss ligger runt 670pF typ med Vds=25V.
Om det stämmer nedan så håller modellen ett lite lägre värde.
Ciss är bra att veta om man tänker använda trissan vid lite högre frekvenser
och ska anpassa till en transformator till exempel.
Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Här är då ett exempel där jag utnyttjat värdet på Ciss
för att dimensionera anpassningen till transformatorn.
Först ett 50 ohms PI-filter och sedan en 4ggr impedansomvandlande
trafo (12.5 ohm) och sist ett par motstånd för att anpassa mellan trafon
och gate-impedansen vid 3.7MHz.
Om någon undrar så är 3.7MHz mitt i 80m amatörbandet och därmed kanske
kan misstänka vad jag har tänkt att bygga!
för att dimensionera anpassningen till transformatorn.
Först ett 50 ohms PI-filter och sedan en 4ggr impedansomvandlande
trafo (12.5 ohm) och sist ett par motstånd för att anpassa mellan trafon
och gate-impedansen vid 3.7MHz.
Om någon undrar så är 3.7MHz mitt i 80m amatörbandet och därmed kanske
kan misstänka vad jag har tänkt att bygga!
Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Ja och schemat visar endast halva kretsen.
Strömmen genom R15.....
Strömmen genom R15.....
Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Öka tomgångsströmmen på mosfeten en aning så får du en finare signal kanske ?
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
100mA till 200mA ska räcka men LTSpice har för litet step-size därför det ser lite fyrkantigt ut.
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Kapacitanserna i MOSFETar är mycket spänningsberoende, samt frekvensberoende!..
Det är därför man normalt mäter upp dessa vid 1 MHz.
Annan frekvens, annan kapacitans.
Annan spänning, annan kapacitans.
Kolla graferna på någon fovoritMOSFET, räkna med toleranser och skala om det...
Jag har funderat på att bygga en fixtur för att mäta upp dem i flera dimensioner, men det är mycket att mäta.
Dessutom behöver man mäta i korta skurar ibland för att inte få termiskupphättning...
Lite läsning:
https://en.wikipedia.org/wiki/Carrier_g ... ombination
Det är därför man normalt mäter upp dessa vid 1 MHz.
Annan frekvens, annan kapacitans.
Annan spänning, annan kapacitans.
Kolla graferna på någon fovoritMOSFET, räkna med toleranser och skala om det...
Jag har funderat på att bygga en fixtur för att mäta upp dem i flera dimensioner, men det är mycket att mäta.
Dessutom behöver man mäta i korta skurar ibland för att inte få termiskupphättning...
Lite läsning:
https://en.wikipedia.org/wiki/Carrier_g ... ombination
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Jag vet inte riktigt hur man ska tolka detta med Vds kontra inkapacItalien om Vds hela tiden varierar. Jag testade med olika Vds och kapacitansen variera men inte extremt mycket.
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Ja som sagt. Frågan är först vad som menas med kapacitans här.
Är det ren kapacitans mot emmitter respektive kolletor, eller den som associeras med laddnig som flyter in i styret.
Just vid omslagspunkten kan ju kapacitansen bli tiotals gånger högre än vid strypt läge.
Utanför omslagspunkten varierar den dessutom med kollektorspänningen liksom i en diod.
Det blir en rätt komplicerad modell! Oklart många gånger vad de menar i databladen!
Är det ren kapacitans mot emmitter respektive kolletor, eller den som associeras med laddnig som flyter in i styret.
Just vid omslagspunkten kan ju kapacitansen bli tiotals gånger högre än vid strypt läge.
Utanför omslagspunkten varierar den dessutom med kollektorspänningen liksom i en diod.
Det blir en rätt komplicerad modell! Oklart många gånger vad de menar i databladen!
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Jag tror inte att standardmodellerna i LTSpice är särskilt exakta. Jag laddade en gång hem ett bibliotek från IRF med modeller på en stor andel av deras fälteffektstransistorer. Gick att använda i LTSpice utan större krångel om man placerade biblioteket på rätt ställe i filsystemet, har jag för mig. Dom hamnade då i en mapp i listan som kommer upp då man ska lägga till en komponent.
De modellerna hade mycket mer detaljer. Alla anslutningars kapacitans sincemellan, induktans för benen, egenskaper för omslag på gate, intern diod, o.s.v. Blev ganska annorlunda resultat när jag bytte till en sån modell. Blev mer självsvängningar och högre förluster i omslaget i en switchande omvandlare, t.ex.
De modellerna hade mycket mer detaljer. Alla anslutningars kapacitans sincemellan, induktans för benen, egenskaper för omslag på gate, intern diod, o.s.v. Blev ganska annorlunda resultat när jag bytte till en sån modell. Blev mer självsvängningar och högre förluster i omslaget i en switchande omvandlare, t.ex.
Re: Mäta upp Ciss hos en MOSFET
Den L-kopplingen i schemat gör att Ciss kan variera ganska friskt
utan att ge nämnvärd skillnad i inimpedansen (absolutvärdet).
utan att ge nämnvärd skillnad i inimpedansen (absolutvärdet).
Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.