Kan någon förklara vad det är för skilnade mellan:
BiMOS, Bipolär, CMOS, FET, JFET, BiCMOS
Operationsförstärkare
Operationsförstärkare
Satt och kollade lite i Elfa om operationsförstärkare.
Kan någon förklara vad det är för skilnade mellan:
BiMOS, Bipolär, CMOS, FET, JFET, BiCMOS
Kan någon förklara vad det är för skilnade mellan:
BiMOS, Bipolär, CMOS, FET, JFET, BiCMOS
Transistorer...
Precis, det är olika typer av transistorer i dem.
Deras namn antyder till hur de är uppbyggda halvledarmässigt kan man säga.
Bipolartransistorn
Två p-n-övergångar (dioder) vända mot varandra
(NPN eller PNP).
FET - fälteffekttransistor
Har börjat ersätta bipolaren i de flesta IC-kretsar,
för den kan packas tätare än bipolaren.
FET:en är spänningsstyrd, bipolaren strömstyrd.
FET:arna delas in i två huvudgrupper:
JFET (Junction FET) och MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET).
JFET finns i sin tur i två typer: n-kanal och p-kanal. Det har med
att göra hur halvledarkristallen är dopad, precis som bipolarens NPN och PNP.
MOSFET finns också i två typer: NMOS och PMOS, även här är det p och n-kanaler i kristallens dopning.
Dock kräver PMOS nästan tre ggr så mycket utrymme som NMOS, därför dominerar NMOS i IC-kretsar.
CMOS (Complementary MOS) är en kombination av PMOS och NMOS.
Digitala grindar är ofta uppbyggda av CMOS.
Sen mer exakt hur det funkar med anrikning och utarmning mellan
kanalerna och sånt kommer jag inte ihåg, men det finns nog att läsa nånstans på internet, som vanligt
BiMOS och BiCMOS vet jag inte riktigt hur de funkar...
Förmodligen är det nån bipolär typ av dessa FET:ar...
Deras namn antyder till hur de är uppbyggda halvledarmässigt kan man säga.
Bipolartransistorn
Två p-n-övergångar (dioder) vända mot varandra
(NPN eller PNP).
FET - fälteffekttransistor
Har börjat ersätta bipolaren i de flesta IC-kretsar,
för den kan packas tätare än bipolaren.
FET:en är spänningsstyrd, bipolaren strömstyrd.
FET:arna delas in i två huvudgrupper:
JFET (Junction FET) och MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET).
JFET finns i sin tur i två typer: n-kanal och p-kanal. Det har med
att göra hur halvledarkristallen är dopad, precis som bipolarens NPN och PNP.
MOSFET finns också i två typer: NMOS och PMOS, även här är det p och n-kanaler i kristallens dopning.
Dock kräver PMOS nästan tre ggr så mycket utrymme som NMOS, därför dominerar NMOS i IC-kretsar.
CMOS (Complementary MOS) är en kombination av PMOS och NMOS.
Digitala grindar är ofta uppbyggda av CMOS.
Sen mer exakt hur det funkar med anrikning och utarmning mellan
kanalerna och sånt kommer jag inte ihåg, men det finns nog att läsa nånstans på internet, som vanligt
BiMOS och BiCMOS vet jag inte riktigt hur de funkar...
Förmodligen är det nån bipolär typ av dessa FET:ar...
Ah, kanon!
Du behöver inte gå in på uppbyggnaden med anrikning och sånt.
Jag kommer ihåg när jag läste lite om dopning och sånt på pnp/npn, men det gjorde det inte precis lättare. Rörde bara till det.
Man ska inte lära sej saker som man inte behöver... Om hjärnan är som en HD så ska man inte fylla den med massa junk, så man inte har plats till det som är viktigt.
Du behöver inte gå in på uppbyggnaden med anrikning och sånt.
Jag kommer ihåg när jag läste lite om dopning och sånt på pnp/npn, men det gjorde det inte precis lättare. Rörde bara till det.
Man ska inte lära sej saker som man inte behöver... Om hjärnan är som en HD så ska man inte fylla den med massa junk, så man inte har plats till det som är viktigt.
Fråga...
Kolla på denna ritingen:
I ruta 1/B så finns en OF med namn TL072, där endast ben 5, 6, 7 är inkopplade. Räcker det, eller ur det undermenat att Vcc + / - åxå ska vara inkopplat?
Och vad är det för skilnad om jag kopplar in på ben 1, 2, 3 eller om jag tar 5, 6, 7?
För i OF i 1/C så använder dom 1, 2, 3.
Humm... Kan ifs vara så att det är samma krets... Men det ser lite knasigt ut i ritningen... Har jag rätt.. Säg att jag har rätt så känner jag mej inte så dum...
Kolla på denna ritingen:
I ruta 1/B så finns en OF med namn TL072, där endast ben 5, 6, 7 är inkopplade. Räcker det, eller ur det undermenat att Vcc + / - åxå ska vara inkopplat?
Och vad är det för skilnad om jag kopplar in på ben 1, 2, 3 eller om jag tar 5, 6, 7?
För i OF i 1/C så använder dom 1, 2, 3.
Humm... Kan ifs vara så att det är samma krets... Men det ser lite knasigt ut i ritningen... Har jag rätt.. Säg att jag har rätt så känner jag mej inte så dum...
Japp, du har helt rätt!
Du har ju själv satt in en bild på benkonfigurationen på TL072:an.
Kretsen innehåller två OP-ampar (OP A ben 1 2 3, OP B
ben 5 6 7, V+ ben 8, V- ben 4). Givetvis måste OP:n i
1/B ha matningspänning, och den är ju utritad på OP:n i 1/C.
Eftersom det är samma kapsel behöver man inte rita ut den två gånger.
Mycket praktiskt med två OP i samma kapsel, halverar ju kretskortsyta
och kostnader och allting!
Du har ju själv satt in en bild på benkonfigurationen på TL072:an.
Kretsen innehåller två OP-ampar (OP A ben 1 2 3, OP B
ben 5 6 7, V+ ben 8, V- ben 4). Givetvis måste OP:n i
1/B ha matningspänning, och den är ju utritad på OP:n i 1/C.
Eftersom det är samma kapsel behöver man inte rita ut den två gånger.
Mycket praktiskt med två OP i samma kapsel, halverar ju kretskortsyta
och kostnader och allting!
OK, var som jag trodde då.
Känns fortfarande konstigt när det är "två" olika kretsat på ritningen. Hade jag inte tittat noga så hade jag garanterat köpt två TL072. Spelar ifs inte så stor roll när dom kostar ~15:-
Vad är det för skilnad på dessa:
TL072CP/TI
TL072IP/STM
Båda är DIL8.
Hur tolkar man infon:
Brus (typ) nV/√Hz - 18
Slew rate V/μs - 13
Känns fortfarande konstigt när det är "två" olika kretsat på ritningen. Hade jag inte tittat noga så hade jag garanterat köpt två TL072. Spelar ifs inte så stor roll när dom kostar ~15:-
Vad är det för skilnad på dessa:
TL072CP/TI
TL072IP/STM
Båda är DIL8.
Hur tolkar man infon:
Brus (typ) nV/√Hz - 18
Slew rate V/μs - 13
Tror inte det är någon större skillnad på dom, men det är olika tillverkare.
Brus-måttet du har där är spektraltäthet för bruset, ska man räkna ut totala bruset (eller iaf en uppskattning) tar man och multiplierar med roten ut bandbredden på kretsen.
T.ex. om man bygger en audio-pryl så har man förmodligen en bandbredd på c:a 20KHz, då blir totala bruset 18 * sqrt(20000) nV.
Slew raten är hur snabbt utspänningen kan ändras, i volt per mikrosekund. Det är största möjliga lutningen på utsignalen så att säga.
Brus-måttet du har där är spektraltäthet för bruset, ska man räkna ut totala bruset (eller iaf en uppskattning) tar man och multiplierar med roten ut bandbredden på kretsen.
T.ex. om man bygger en audio-pryl så har man förmodligen en bandbredd på c:a 20KHz, då blir totala bruset 18 * sqrt(20000) nV.
Slew raten är hur snabbt utspänningen kan ändras, i volt per mikrosekund. Det är största möjliga lutningen på utsignalen så att säga.
Detta visste ni säkert alla redan, men det kan vara värt att nämna.
MOS-FET, CMOS, etc, är extremt känsliga för ESD. Detta är icke att förakta.
Var nogsam då du meckar med dem.
Kan rekomendera en avledande bordsyta, handledsaband eller dylikt.
Kanske fel tråd att skriva detta i, men jag kom att tänka på det då ni var inne på FET:ar.
MOS-FET, CMOS, etc, är extremt känsliga för ESD. Detta är icke att förakta.
Var nogsam då du meckar med dem.
Kan rekomendera en avledande bordsyta, handledsaband eller dylikt.
Kanske fel tråd att skriva detta i, men jag kom att tänka på det då ni var inne på FET:ar.
