24v pwm -> 12v pwm

[FormerMazda]

Med anledning av: http://elektronikforumet.com/forum/view ... i#p1426578
(Alltså att jag vill köpa led-lister med högt CRI.)

Jag kan göra det enkelt och beställa från yuji. Summan blir 100USD plus frakt. Hem kommer bra slingor på 24v.
Men jag kan ju köpa från andra leverantörer/tillverkare, och ett tips jag fick från youtube (https://www.youtube.com/watch?v=DhbMnQt14_o) är dessa på ebay: https://www.ebay.com/itm/182965299789
Jag tror ändå att dom kan vara precis lika bra som jag förväntar mig, det är ju en trovärdig källa som rekommenderar dom.

Men dom är ju på 12v, och jag vill använda dom tillsammans med min philips Hue driver som ger 24v ut.
Hur gör man bäst? Serieresistans går ju bort, men kanske 24v-pwmsignalen kan användas för att driva mosfets (igen) som sitter i ett 12v-drivsteg? Eller kan man mata Hue-drivern med 24v, slingan med 12v och med gemensam 0v så funkar det?

[metric]

Kan du inte köra två slingor i serie?

[FormerMazda]

Ja nu när du säger det, jag har faktiskt snöat in på RGB-slingan som jag ska ha också. Men helt klart så kan ju varmvit och kallvit seriekopplas.

Men som sagt så är ju RGB-slingan svårare att seriekoppla. Men enklast där är ju att köpa en för 24v vilket inte är så dyrt.

Om man ändå ska av ren nyfikenhet fundera på alternativen jag funderat på, är dom möjliga tror ni?

[svanted]

om man driver en FET som low side kan man ha vilken drivspänning man vill.

[FormerMazda]

Funderat vidare lite, och jag har ritat lite också! Men se gärna bilderna som rent principiella.

Först ut, av allt jag vet så funkar HUE-drivern såhär. Visar en kanal av fem, men alla ser likadana ut:

hue1.png

Man skulle nog som sagt kunna med gemensam 0V bara mata en 12V-slinga med egen 12V som såhär:

hue2.png

Men jag läser att HUE-strip är max 20W. Detta är en siffra jag inte vet hur de beräknar, men man borde väl enklast kunna anta att det är 20W max när allt lyser 100%. Så 4W per kanal.
Nu tror jag dock att strömbegränsning sker nånstans, för det finns en beskrivning som säger att ljuset fördelas över anslutna slingor. Med andra ord, förlänger man så kommer de enskilda dioderna lysa mindre, men summan bli densamma.
Jag vill dock varken begränsa mig, eller hoppas att det finns en begränsande funktion. Så om man med detta i åtanke vill bygga en .. förstärkare? driver? som drivs av HUE-drivern, då borde det inte vara svårare än såhär?:

hue3.png

Förvisso har jag ju reparerat en HUE-driver, och konstaterat att fetarna är fetare än "nödvändigt". Förmodligen dessa: https://assets.nexperia.com/documents/d ... MV20EN.pdf
Men jag vill inte chansa som sagt.
Kommer att tänka på ett till alternativ, att helt enkelt plocka ut signalen före HUE-driverns fetar. Men då vet jag ju inte om de fetar jag skulle använda är lämpliga för den signalen..

[FormerMazda]

Beställde ett par rullar från ebay nu, så 12V blir det.
Läser också på ebay följande specar:
12V 60W 300LED

Det borde betyda att det är 12V 5A för att nå 60W, och då är det 16,6mA per LED. Eller vänta nu, det sitter ju en serieresistor också. Men ja, runt 18mA per LED då? Fortfarande rimligt.
Iallafall på tok för mycket per kanal för HUE-drivern. En egen driver driven av HUE-drivern ska designas nu.

[TomasL]

BSP742R borde funka utmärkt för detta

[FormerMazda]

En pimpad mosfet?
Intressant på alla de vis, men max 2A om jag läser rätt?
Vad jag förstått behöver jag nåt som tar 5A minst?

[Borre]

2A om du lyckas hålla den vid -25 grader.
Nej den passar inte på något vis, använd en helt vanlig mosfet bara.
Vet du vad den där Hue-grejen använder för switchfrekvens?
Det du får tänka på om utgången på drivaren är så som du ritat så blir din signal inverterad som du ritat i sista schemat.

[TomasL]

Finns andra i samma serie, för högre ström.

[FormerMazda]

Gudars vad jag saknar mitt labb, måste ta tag i att sätta upp det snart..
Åsilliskåpet kan dock packas upp för lite mätning, det lär ju krävas.
Och bra poäng om inventeringen, hade på känn att det kan bli så.
Bästa sättet är att ta HUE-driverns signal till en mosfet-driver med inverterande ingång?

[FormerMazda]

Funderat vidare lite och jag tror jag kommer modda HUE-drivern en smula.
Byter jag mosfets så slipper jag allt med att anpassa signalnivåer, invertering mm.

Här är en tråd där "jag" bytte en av mosfetarna i en sån driver: EF-Tråd
Jag köpte några IRFML8244TRPbF: Datablad

Och följer jag banorna visuellt på bilden jag tog då så tycker jag det ser helt standard ut hur dom designat drivern:

hue4.png

Så min tanke är att helt enkelt löda loss HUE-driverns mosfetar och på nåt vis löda i lite fetare fetar. (kul ordvits va!?)
Kikat lite på våra sponsorers utbud och m.nu har IRLB8721PbF: Länk till m.nu Datablad
Dessa om jag tolkar det rätt kommer klara en fasligt hög ström till och med utan kylning. Men sen vet jag inte om den är snabb nog, tror att den lille SMDn är snabbare, men om det spelar nån roll? Har ingen känsla för detta. Hjälp önskas!

Man vill ju ha gate-motstånden så nära mosfet som möjligt om jag minns rätt. Men vad är o-nära? Med en skatbo-konstruktion kan jag ju hamna nån knapp centimeter från kapseln. Men ska det bli snyggt så kanske 3-5cm är mer rimligt. Problem?

[bearing]

Jag tror inte det spelar någon roll var motståndet sitter. Vad som har betydelse är induktansen i slingan gatedriverutgång-gate-source-gatedriverjord. (Om det ska switchas fort och ofta med lågt gatemotstånd. Med långsam switchning / högt gatemotstånd spelar induktansen inte någon roll.)

[FormerMazda]

Så då borde inte avståndet spela roll här, och vi borde kunna anta att dom designat sin driver för sin switchfrekvens.
Men det här RDSon som är 24mΩ på den lille och 8,7mΩ, det spelar in väl?

[bearing]

Jag är ju ingen HF-expert, men jag kan inte se hur det spelar någon roll om motståndet placeras precis vid gate, eller precis vid utgången på gatedriver. Men det kanske det har, om det blir någon sorts stående-våg som bättre släcks med resistorn nära gate, och sedan gatedriverns resistans i andra änden av ledaren. (Fast något sånt har jag aldrig läst om.)

Lägre RDSon innebär generellt högre kapacitans på gate, vilket kräver högre gate-ström för samma omslagstid, om det var detta du syftade på.