MOSFET kelvin source fundering

[Tumblebeer]

Jag håller på och river mig i huvudet lite angående FETar med en separat source pinne.
Är dock inte helt säker på om jag tänker rätt med implementationen.

I bilden nedan har jag en halv-brygga:

Skärmklipp.PNG

Det jag funderar på är om jag sätter decoupling kondingarna på låga sidan på rätt sätt, och om jag får till mina strömloopar rätt.
Nu har jag satt kondingarna på låga sidan (C21, C22) till min source return (S1) och inte till (HV_GND = S2) som min gate drive supply är refererad till (+12V_ISO). Tanken med det är att jag kommer slå gaten med laddning huvudsakligen från (C21,C22), och att den loopen inte ska dela någon source induktans med mina fas-strömmar.
Jag tänkte inte köra något stort jordplan för HV_GND, för jag vill styra vart de strömmarna går över kortet. Det betyder att loopen för +12V_ISO kommer att bli väldigt stor, men det borde inte vara så mycket di/dt från den, eftersom det mesta tas från (C21, C22, C27, C25 (och motsvarande på andra halv-bryggor)).

Tänker jag rätt?

[lillahuset]

Jag är ingen expert men skulle också ha gjort sådär. Det står ju uttryckligen i databladet att man ska använda S1 till styrningen och S2 till lasten.

[prototypen]

Då bör drivningen vara galvaniskt skild från kraftsidan så strömmen och resistansen (och induktansen) inte ska störa drivningen.

Protte